Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi₂(Tе_0.9Se_0.1)₃

Абдуллаев Н.А.¹, Абдуллаев Н.М.¹, Алигулиева Х.В.¹, Керимова А.М.¹, Мустафаева К.М.¹, Мамедова И.Т.¹, Мамедов Н.Т.¹, Немов С.А.², Буланчук П.О.³

¹Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электропроводность, эффект Холла и магнитосопротивление в тонких пленках Bi₂(Te_0.9Se_0.1)₃ в широком интервале температур 2.5-300 K и в сильных магнитных полях вплоть до 8 Тл. Обнаружено, что, в то время как в объемных монокристаллах проводимость имеет "металлический" характер, в тонких пленках Bi₂(Te_0.9Se_0.1)₃ проводимость "диэлектрического" типа. Предложено, что при высоких температурах 100-300 K проводимость определяется в основном термоактивированными носителями заряда по протяженным состояниям зоны проводимости с энергией активации примерно равной 15 мэВ. При более низких температурах 2.5-70 K доминирует проводимость, обусловленная прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полоске энергий вблизи уровня Ферми. Из данных магнитосопротивления и электропроводности оценены радиус локализации, а также плотность локализованных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

X. Liu, D.J. Smith, J. Fan, Y.-H. Zhang, H. Cao, Y.P. Chen, J. Leiner, B.J. Kirby, M. Dobrovolska, J.K. Furduna. Appl. Phys. Lett., 99, 171 903 (2011)
J. Zhang, Z. Peng, A. Soni, Y. Zhao, Y. Xiong, B. Peng, J.B. Wang, M.S. Dresselhaus, Q. Xiong. Nano Lett., 11, 2407 (2011)
D. Teweldebrhan, V. Goyal, A.A. Balandin. Nano Lett., 10, 1209 (2009)
R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
В.А. Кутасов, Л.Н. Лукъянова, П.П. Константинов. ФТТ, 42, 1985 (2000)
Л.В. Прокофьева, Д.А. Пшенай-Северин, П.П. Константинов, А.А. Шабалдин. ФТП, 43, 1009 (2009)
Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, А.М. Керимова, С.Ш. Кахраманов, А.И. Байрамов, H. Miyamoto, K. Wakita, Н.Т. Мамедов, С.А. Немов. ФТП, 46, 1163 (2012)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, Х.В. Алигулиева, Т.Г. Керимова, Г.С. Мехдиев, С.А. Немов. ФТП, 45, 38 (2011)
Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука., 1979)
А.А. Пронин, В.В. Глушков, М.В. Кондрин, А.Г. Ляпин, В.В. Бражкин, Н.А. Самарин, С.В. Демишев. ФТТ, 49, 1336 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель