Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г. Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080023 
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф18Р-107
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-52-00011_Бел
РНФ, 18-19-00493
Афоненко Ан.А.1, Афоненко А.А.1, Ушаков Д.В.
1, Дубинов А.А.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: afonenko@bsu.by, ushakovdv@bsu.by
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Проведено моделирование фононных мод квантово-каскадных гетероструктур на основе двойных и тройных полупроводниковых соединений. Рассчитаны зависимости частот интерфейсных фононных мод структуры от волнового вектора в плоскости слоев и от набега фазы на периоде сверхрешетки. Найдено, что диапазон вариации энергий квантов фононных мод GaAs/Al0.25Ga0.75As-структуры не превышает 2 мэВ. Рассчитанная результирующая скорость межподзонного рассеяния в структуре с учетом интерфейсных и ограниченных мод практически не отличается от расчетов в приближении объемных фононов структуры. Ключевые слова:: квантово-каскадный лазер, интерфейсные фононные моды, вероятность электрон-фононного рассеяния.
- B.S. Williams, H. Callebaut, S. Kumar, Q. Hu, J. Reno. Appl. Phys. Lett., 82, 1015 (2003)
- S.C. Lee, A. Wacker. Appl. Phys. Lett., 83, 2506 (2003)
- R.C. Iotti, F. Rossi. Semicond. Sci. Technol., 19, S323 (2004)
- H. Callebaut, S. Kumar, B.S. Williams, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 84, 645 (2004)
- O. Bonno, J.L. Thobel, F. Dessenne. J. Appl. Phys., 97, 043702 (2005)
- X. Gao, D. Botez, I. Knezevic. Appl. Phys. Lett., 89, 191119 (2006)
- V.D. Jovanovc, S. Hofling, D. Indjin, N. Vukmirovic, Z. Ikonic, P. Harrison, J.P. Reithmaier, A. Forchel. J. Appl. Phys., 99, 103106 (2006)
- X. Gao, D. Botez, I. Knezevic. J. Appl. Phys., 101, 063101 (2007)
- L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
- H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, А.С. Школьник, С.С. Михрин, В.С. Михрин. ФТП, 43 (12), 1634 (2009)
- B.S. Williams, Q. Hu. J. Appl. Phys., 90, 5504 (2001)
- X. Gao, D. Botez, I. Knezevic. J. Appl. Phys., 103, 073101 (2008)
- L. Bosco, M. Franckie, G. Scalan, M. Beck, A. Wacker, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 115, 010601 (2019)
- М. Строшио, М. Дутта. Фононы в наноструктурах, пер. с англ. под ред. Г.Н. Жижина (М., Физматлит, 2006)
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 58 (3), R1 (1985)
- Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, О.Ю. Волков, Н.В. Щаврук, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. Квант. электрон., 49 (10), 913 (2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
