Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 5 » Статья стр. 684
<<<>>>
Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором
Надточий А.М.1,2, Hofmann W.3, Germann T.D.3, Блохин С.А.1,2,4, Карачинский Л.Я.1,2,4, Максимов М.В.1,2, Щукин В.А.2,5, Жуков А.Е.1, Bimberg D.3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, German
4ООО "КоннекторОптикс", Санкт-Петербург, Россия
5VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
PDF версия
Методом малосигнального анализа электрического отражения проведены исследования высокочастотных электрических свойств электрооптического модулятора, монолитно интегрированного в вертикально излучающий лазер. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью предложенной эквивалентной электрической схемы, учитывающей формирование неравновесных пространственных зарядов в обедненной носителями заряда области модулятора. Полоса частот передачи высокочастотного электрического сигнала на электрооптически чувствительную область, определенная для предложенной электрической схемы замещения модулятора, составила 3 ГГц.
  1. S.A. Blokhin, J.A. Lott, A. Mutig, G. Fiol, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, V.A. Shchukin, D. Bimberg, Electron. Lett., 45 (10), 501 (2009)
  2. P. Westbergh, J.S. Gustavsson, B. Kogel, A. Haglund, A. Larsson, A. Mutig, A. Nadtochiy, D. Bimberg, A. Joel. Electron. Lett., 46 (14), 1014 (2010)
  3. D. Tauber, G. Wang, R.S. Geels, J.E. Bowers, L.A. Coldren, Appl. Phys. Lett., 62 (4), 325 (1993)
  4. A. Larsson, P. Westbergh, J. Gustavsson, A. Haglund, Proc. of SPIE, 7615 (1), 761 505 (2010)
  5. A. Paraskevopoulos, H.J. Hensel, W.D. Molzow, H. Klein, N. Grote, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, C. Moller, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, I.L. Krestnikov, S.S. Mikhrin, P. Matthijsse, G. Kuyt. Proc. OFC, 22 (2006)
  6. J. van Eisden, M. Yakimov, V. Tokranov, M. Varanasi, O. Rumyantsev, E.M. Mohammed, I.A. Youngm, S.R. Oktyabrsky. Proc. of SPIE, 6908 (1), 69080M(2008)
  7. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, J.A. Lott, H. Quast, F. Hopfer, L.Ya. Karachinsky, M. Kuntz, P. Moser, A. Mutig, A. Strittmatter, V. P. Kalosha, D. Bimberg, Proc. of SPIE, 6889 (1), 68890H (2008)
  8. S. Lim, J. Hudgings, L. Chen, G. Li, W. Yuen, K. Lau, C. Chang-Hasnain, Photon. Techn. Lett., 10 (3), 319 (1998)
  9. А.М. Надточий, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, С.И. Трошков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А. Mutig, D. Bimberg, Письма в ЖТФ, 38 (3), 10 (2012)
  10. T. Germann, A. Strittmatter, A. Mutig, A. Nadtochiy, J. Lott, S. Blokhin, L. Karachinsky, V. Shchukin, N. Ledentsov, U. Pohl, D. Bimberg, Physica Status Solidi C, 7 (10), 2552 (2010)
  11. T. Germann, W. Hofmann, A. Nadtochiy, J. Schulze, A. Mutig, A. Strittmatter, D. Bimberg. Opt. Express, 20 (5), 5099 (2012)
  12. J. Cavailles, D. Miller, J. Cunnigham, P. Wa, A. Miller. IEEE J. Quant. Electron., 28 (10), 2486 (1992)
  13. N. Ledentsov, J. Lott, V. Shchukin, D. Bimberg, A. Mutig, T. Germann, J. Kropp, L. Karachinsky, S. Blokhin, A. Nadtochiy. Proc. of SPIE, 7597 (1), 75971F (2010)
  14. A. Miller, C. Park, P. Likamwa. Appl. Phys. Lett., 60 (1), 97 (1992)
  15. D. Moss, T. Ido, H. Sano. IEEE J. Quant. Electron., 30 (4), 1015 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme