Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090274 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: tarasova@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.
Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур. Ключевые слова: транзисторы Шоттки и HEMT, сток-затворная ВАХ, эффект всплеска скорости носителей заряда.
- В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50 (2), 245 (2016)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, О.Е. Галкин, А.В. Хананова, А.Б. Макаров. ФТП, 51 (11), 1543 (2017)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Е. А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский и др. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
- R.E. Williams, D.W. Shaw. IEEE Trans. Electron Dev., ED-25, 600 (1978)
- Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
- K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33 (8), 5595 (1986)
- Электронный ресурс https://www.comsol.com/
- Электронный ресурс https://www.silvaco.com/
- Электронный ресурс https://www.synopsys.com/
- D. Vasileska, S.M. Goodnick, G. Klimeck. Computational electronics. Semiclassical and quantum device modeling and simulation (N.Y., CPC Press Taylor \& Francis Group)
- Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987)
- Ю.В. Королев, И.А. Ющенко. В сб.: Диэлектрики и проводники (Киев, Высш. шк., 1978) вып. 14, с. 102
- Д. Калахан. Методы машинного расчета электронных схем (М., Мир, 1970)
- Ю.Р. Носов, К.О. Петросянц, В.А. Шилин. Математические модели элементов интегральной электроники (М., Сов. радио, 1976)
- С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49 (1), 53 (2015)
- С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (РИУ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018) с. 33
- И.Ю. Забавичев, Е.С. Оболенская, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1489 (2017)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
