Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах n-ТiО2/p-Si
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
2Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Изготовлены анизотипные гетеропереходы n-ТiО2/p-Si методом магнетронного напыления пленки ТiО2 на полированную подложку поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства, и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO2/Si при малых прямых смещениях V, туннелирование при V > 0.6 В. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса.
- T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
- Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998).
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N. Y., 1983)
- M. Barrera, J. Pla, C. Bocchi, A. Migliori. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 92, 1115 (2008)
- K. Ernst, A. Belaidi, R. Konenkamp. Semicond. Sci. Technol., 18, 475 (2003)
- В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27 (5), 1 (2012)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
- V.P. Makhniy, S.V. Khusnutdinov, V.V. Gorley. Acta Phys. Polon. A, 116, 859 (2009)
- V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 024 (2012)
- Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) [Пер. с англ.: T.S. Moss, G.J. Burrel, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth\&Co. (Ltd, 1973)]
- P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
- S.M. Sze, K.N. Kwok. Physics of semiconductor devices (Wiley, New Jersey, 2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
