Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода

Борщак В.А.¹, Смынтына В.А.¹, Бритавский Е.В.¹, Карпенко А.А.¹, Затовская Н.П.¹

¹Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина Mechnikov Odessa National UniversityOdessaUkraine

Поступила в редакцию: 15 октября 2012 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность применения модели туннельно-рекомбинационного переноса для расчета эдс холостого хода освещенного неидеального гетероперехода. Применена методика фотовозбуждения светом различного спектрального состава, объяснено различие в поведении зависимости эдс от освещенности. Проведен расчет значений фотоэдс гетероперехода с учетом преобладания туннельно-рекомбинационного механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения зависимости хорошо согласуются с полученными экспериментально.

В.А. Борщак, Д.Л. Василевский. ФТП, 23, 2076 (1989)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 42 [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, Clarendon Press, 1971) v. 1]
D.L. Vasilevski. Sensors Actuators A, 55, 167 (1996)
D.L. Vasilevski, M.S. Vinogradov, V.A. Barscak. Appl. Sufr. Sci., 103, 383 (1996)
В.А. Борщак, В.А. Смынтына, А.П. Балабан, Е.В. Бритавский, Н.П. Затовская. ФТП, 45, 922 (2011)
T.S. Te Velde. Sol. St. Electron., 16, 1305 (1973)
М.С. Виноградов, В.А. Борщак, Д.Л. Василевский. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, 1 (185), 46 (1987)
V.A. Borschak. In: Photoelectronics (Odessa, Ukraine, 2002) v. 11, p. 92.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель