Вышедшие номера
Юрий Васильевич Копаев (21.10.1937-24.12.2012)
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

[!t] 24 декабря 2012 г. в автомобильной катастрофе трагически погиб руководитель Отделения физики твердого тела Физического института им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН), лауреат Государственных премий СССР (1982, 1988 гг.), премии Президента Российской Федерации в области образования (2003 г.), Золотой медали им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (2011 г.), кавалер ордена "Знак Почета" (1998 г.), академик Юрий Васильевич Копаев. Ушел из жизни замечательный ученый и педагог, светлый и добрый человек. Путь в науку для Юрия Васильевича не был прямым и простым. В том, как он прошел этот путь, нашли отражение его особые, исключительные черты, полученные им от рождения: ясный ум, порядочность и целеустремленность. После окончания средней школы Юрий Васильевич сначала продолжил учебу в техникуме легкой промышленности, окончив который в 1956 г., поступил в Московский институт легкой промышленности. После непродолжительной учебы в этом институте Юрий Васильевич перешел в Московский энергетический институт (МЭИ) и в 1962 г. окончил его по специальности инженер-электрик. Именно в МЭИ у него сформировался интерес к научной работе, а во время учебы в аспирантуре окончательно определилось основное направление всей его последующей научной деятельности: физика конденсированного состояния стала делом его жизни. По завершении обучения в аспирантуре МЭИ под руководством Л. В. Келдыша и защиты кандидатской диссертации в 1964 г. Юрий Васильевич работал в Зеленограде в НИИ молекулярной электроники. В 1970 г. он перешел на работу в теоретический отдел ФИАНа. Докторскую диссертацию защитил в 1972 г. В 1992 г. Ю. В. Копаев стал руководителем лаборатории физики полупроводников Отделения физики твердого тела ФИАН, а с 1995 г. руководил Отделением, где в полной мере проявился его талант ученого и руководителя. Ю. В. Копаев был председателем совета директоров Научно-образовательного центра ФИАН и МИЭТ, руководителем секции "Теория конденсированного состояния" при Президиуме РАН, членом совета по Физике полупроводников, членом специализированных советов в ФИАН, ИОФАН, МИЭТ, членом комиссии по нанотехнологиям при Президиуме РАН, председателем экспертного совета РФФИ по физике, в течение многих лет занимался организацией ежемесячных заседаний научных сессий Отделения физических наук РАН по фундаментальным проблемам физики. Ю. В. Копаев был заместителем главного редактора журнала "Журнал экспериментальной и теоретической физики". Ю. В. Копаевым выполнены фундаментальные научные исследования в области физики твердого тела, начало которым положила знаменитая работа Л. В. Келдыша и Ю. В. Копаева 1964 г. по теории диэлектрических фазовых переходов. Предложенная и исследованная в этой работе модель экситонного диэлектрика с единых позиций описывает межэлектронные корреляции, которые могут приводить к совокупности фазовых переходов с различными типами симметрии упорядоченных фаз, возникающих в результате бозе-конденсации электронно-дырочных пар. Модель экситонного диэлектрика описывает не только многие из проявляющихся в эксперименте состояний твердых тел, таких как волны зарядовой и спиновой плотности, слабый ферромагнетизм и сегнетоэлектричество, но и такие состояния, которые можно отнести к экзотическим, в частности волны плотности тока заряда и спина в орбитальных антиферромагнетиках. Ю. В. Копаевым было положено начало исследованиям качественно нового типа упорядочения, связанного с плотностью тороидного дипольного момента. Ю. В. Копаевым выполнены фундаментальные исследования неравновесных фазовых переходов в полупроводниках, в частности им был предложен и подробно исследован электронный механизм лазерного отжига. Им в соавторстве с В. Ф. Елесиным разработана микроскопическая кинетическая теория квантового каскадного лазера и предложены варианты его конструкции, обеспечивающие снижение критических токов и повышение рабочей температуры. Ю. В. Копаевым выдвинуты пионерские идеи в области физических основ наноэлектроники, относящиеся к обработке и преобразованию информации: им исследована управляемая перестройка когерентных состояний квантовых гетероструктур, содержащих туннельно-связанные квантовые ямы, и предложены новые типы функционально-интегрированных логических квантовых элементов. Задолго до обнаружения высокотемпературной сверхпроводимости купратов Ю. В. Копаевым было показано, что частичная диэлектризация электронного спектра может приводить к значительному увеличению температуры сверхпроводящего перехода. Эти исследования были опубликованы в широко известной коллективной монографии "Проблема высокотемпературной сверхпроводимости, изданной в 1977 г. под редакцией В. Л. Гинзбурга и Д. А. Киржница. В последние годы Ю. В. Копаевым разработан механизм сверхпроводимости, который учитывает особенности электронной структуры, а также конкуренцию и сосуществование сверхпроводящего и диэлектрического состояний в купратах. Этот механизм позволяет качественно объяснить фазовую диаграмму и основные физические свойства купратов. Юрий Васильевич всегда был в курсе того, что происходит в области физики конденсированного состояния, он быстро оценивал значимость выдвигаемых идей, был способен к их продуктивному развитию. В самое последнее время акцент в его деятельности сместился в сторону исследований нового класса твердых тел - топологических изоляторов. Юрий Васильевич Копаев был не только выдающимся ученым, но и замечательным педагогом высшей школы. С 1975 г. он был профессором Московского института электронной техники (технического университета). В 1994 г. им был организован Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ "Квантовые приборы и нанотехнологии". Ю. В. Копаев разработал и прочитал оригинальные курсы: "Физика твердого тела", "Физика полупроводников", "Неупорядоченные полупроводники", "Кинетические процессы в полупроводниках", "Физические основы наноэлектроники". Большой интерес аудитории вызывали уникальные авторские курсы "Физическая природа биологических полей" и "Топологические изоляторы и проявление фазы Берри в электронных свойствах кристаллов". Юрий Васильевич уделял большое внимание работе со студентами и аспирантами, был руководителем их многочисленных научно-исследовательских работ. Юрий Васильевич был настоящим ученым, щедрым учителем, добрым и отзывчивым человеком, талант общения с людьми был дан ему от Бога. Сотрудникам, ученикам и просто всем, кто был знаком с Юрием Васильевичем, трудно смириться с тем, что его больше нет среди нас. Светлую память о Юрии Васильевиче Копаеве сохранят все, кому выпало счастье с ним работать и общаться. Коллеги, друзья, ученики и редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  1. C.M. Lieber. Sol. St. Commun., 107, 607 (1998)
  2. C. Jagadish, S. J. Pearton (eds). Zink Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures (Amsterdam, Elsevier, 2006)
  3. M.H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang. Adv. Mater., 13, 113 (2001)
  4. S. Ghosh, M. Saurav, B. Pandey, P. Srivastava. J. Nanosci. Nanotechnol., 8, 2655 (2008)
  5. Y. Wu, R. Fan, P. Yang. Nano Lett., 2, 83 (2002)
  6. M. Izaki, T. Omi. J. Electrochem. Soc., 144, 1949 (1997)
  7. Z.W. Pan, Z.R. Dai, Z.L. Wang. Science, 291, 1947 (2001)
  8. C. Ge, C. Xie, S. Cai. Mater. Sci. Eng. B, 137, 53 (2007)
  9. H. Tang, Y. Li, C. Zheng, J. Ye, X. Hou, Y. Lv. Talanta, 72, 1593 (2007)
  10. C.L. Zhu, Y.J. Chen, R.X. Wang, L.J. Wang, M.S. Cao, X.L. Shi. Sensors Actuators B, 140, 185 (2009)
  11. Y. Lv, L. Guo, H. Xu, X. Chu. Physica E, 36,102 (2007)
  12. L. Goris, R. Noriega, M. Donovan, J. Jokisaari, G. Kusinski, A. Salleo. J. Electronic Mater., 38, 586 (2009)
  13. C. Wu, L. Shen, H. Yu, Y.-C. Zhang, Q. Huang. Mater. Lett., 74, 236 (2012)
  14. X. Song, L. Liu. Sensors Actuators A, 154, 175 (2009)
  15. X. Song, Z. Wang, Y. Liu, C. Wang, L. Li. Nanotechnology, 20, 0755011 (2009)
  16. A. Tarat, R. Majithia, R.A. Brown, M.W. Penny, K.E. Meissner, T.G.G. Maffeis. Surf. Sci., 606, 715 (2012)
  17. Z.L. Wang. Mater. Sci. Eng., R 64, 33 (2009)
  18. C.-S. Hong, H.-H. Park, J. Moon, H.-H. Park. Thin Sol. Films, 515, 957 (2006)
  19. L. Ma, S. Ma, H. Chen, X. Ai, X. Huang. Appl. Surf. Sci., 257, 10 036 (2011)
  20. Y.M. Tao, S.Y. Ma, H.X. Chen, J.X. Meng, L.L. Hou, Y.F. Jia, X.R. Shang. Vacuum, 85, 744 (2011)
  21. A. Kalaivanan, S. Perumal, N. Neelakanda Pillai, K.R. Murali. Mater. Sci. Semicond. Processing, 14, 94 (2011)
  22. T.-J. Hsueh, C.-L. Hsu, S.-J. Chang, I.-C. Chen. Sensors Actuators B, 126, 473 (2007)
  23. Z. Zhang, J.B. Yi, J. Ding, L.M. Wong, H.L. Seng, S.J. Wang, J.G. Tao, G.P. Li, G.Z. Xing, T.C. Sum, C.H.A. Huan, T. Wu. J. Phys. Chem. C, 112, 9579 (2008)
  24. C.C. Vidyasagar, Y. Arthoba Naik, T.G. Venkatesh, R. Viswanatha. Powder Technol., 214, 337 (2011)
  25. J. Hu, R.G. Gordon. J. Appl. Phys., 72, 5381 (1992)
  26. K.Y. Cheong, N. Muti, S.R. Ramanan. Thin Sol. Films, 410, 142 (2002)
  27. M. Zhao, X. Wang, L. Ning, J. Jia, X. Li, L. Cao. Sensors Actuators B, 156, 588 (2011)
  28. Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31(4), 400 (1997)
  29. Y.S. Sonawane, K.G. Kanade, B.B. Kale, R.C. Aiyer. Mater. Res. Bull., 43, 2719 (2008)
  30. T.-J. Hsueh, S.-J. Chang. Appl Phys. Lett., 91, 0531111 (2007)
  31. C.J. Brinker, G.W. Scherer. Sol-Gel Science. The physics and chemistry of sol-gel processing (San Diego, Academic Press, 1990)
  32. S. Sakka (ed.). Handbook of sol-gel science and technology: processing, characterization, and applications (N. Y., Springer, 2004)
  33. R. Corriu, T.A. Nguy\^ en. Molecular chemistry of sol-gel derived nanomaterials (N. Y., John Wiley \& Sons, 2009)
  34. А.И. Максимов, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, О.А. Шилова. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. 2-е изд. (СПб., ООО "Техномедиа", Изд-во "Элмор", 2008)
  35. J.-H. Lee, B.-O. Park. Thin Sol. Films, 426, 94 (2003)
  36. А.С. Ильин, А.И. Максимов, В.А. Мошников, Н.П. Ярославцев. ФТП, 39 (3), 300 (2005)
  37. I.E. Gracheva, V.A. Moshnikov, S.S. Karpova, E.V. Maraeva. J. Phys.: Conf. Ser., 291, 012 017 (2011)
  38. V.A. Moshnikov, I.E. Gracheva, V.V. Kuznezov, A.I. Maximov, S.S. Karpova, A.A. Ponomareva. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2020 (2010)
  39. I.E. Gracheva, V.A. Moshnikov, E.V. Maraeva, S.S. Karpova, O.A. Alexsandrova, N.I. Alekseyev, V.V. Kuznetsov, G. Olchowik, K.N. Semenov, A.V. Startseva, A.V. Sitnikov, J.M. Olchowik. J. Non-Cryst. Sol., 358, 433 (2012)
  40. N.V. Kaneva, D.T. Dimitrov, C.D. Dushkin. Appl. Surf. Sci., 257, 8113 (2011)
  41. T.-J. Hsueh, C.-L. Hsu. Sensors Actuators B, 131, 572 (2008)
  42. M. Takata, D. Tsubone, H. Yanagida. J. Am. Ceram. Soc., 59, 4 (1976)
  43. D.T. Dimitrov, S.Y. Anastasova, C.D. Dushkin. Rev. Sci. Instrum., 77, 0561081 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.