"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов AlxGa1-xAsySb1-y/GaSb
Кузнецов Г.Ф.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Отсутствие дефектов кристаллической решeтки и, в особенности, отсутствие дислокаций в активном слое в сложных многослойных гетероэпитаксиальных системах является главным условием для эффективной и надeжной работы оптоэлектронных микроприборов. Минимальные упругие напряжения в многослойных гетероэпитаксиальных системах и их отсутствие в активном слое при той повышенной температуре, которая возникает в эффективно работающем электронном приборе, является вторым необходимым условием для периода его долговременной работы.
  • G.A. Rozgonyi, P.M. Petroff, M.B. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
  • М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. / Кристаллография, 22 (2), 431 (1977)
  • Ж.И. Алфeров, Д.З. Гарбузов, Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, М.Г. Мильвидский. Вестник АН СССР, N 4, 31 (1978)
  • Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. (Киев, Наук. думка, 1983), с. 304
  • М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структура дефектов в эпитаксииальных слоях полупроводников. (М., Металлургия, 1985) с. 205
  • Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
  • Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
  • Г.Ф. Кузнецов, Б.Н. Миронов, В.Я. Филипченко, А.А. Хазанов. Деп. в ВНИИГИ РАН (М., 1987) N 5, 340-В87,
  • Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. (М. ИРЭ АН СССР, 1989)
  • Г.Ф. Кузнецов. Препринт ИРЭ АН СССР (М., 1986) N 2 (441), с. 31
  • W.J. Bartels, W.J. Nijman. Crystal Growth, 37, 204 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.