Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mue достигается в образце с толщиной барьерного слоя Lb=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mue от глубины залегания квантовой ямы.
J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (8), 830 (2008)
D.H. Kim, J. del Alamo. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (7), 1504 (2010)
G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D.J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 42 (4), 2214 (2003)
R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, M. Radosavljevic. IEEE Trans. Nanotechnology, 4 (2), 153 (2005)
D. Esseni, A. Abramo, L. Selmi, E. Sangiorgi. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (12), 2445 (2003)
N. Kharche, G. Klimeck, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, M. Luisier. IEEE Trans. Electron. Dev., 58 (7), 1963 (2011)
D.-H. Kim, J.A. del Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2010) p. 692
T.-W. Kim, R.J. Hill, C.D. Young, D. Veksler, J. Oh, C.Y. Kang, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, C. Hobbs, P. Kirsch, R. Jammy. Symposium on VLSI Technology (Honolulu, 2012) p. 179
T.-W. Kim, D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2009) p. 483
Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, D.S. Ponomarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75 (10), 66 (2005)
Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов. Ядерная физика и инжиниринг, 3 (2), 1 (2012)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7, 4605 (1973)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)