"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках
Кокурин И.А.1,2, Петров П.В.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Представлена теория оптической ориентации носителей заряда в компенсированных полупроводниках AIIIBV и квантовых ямах на их основе в случае возбуждения электронов из состояния заряженного акцептора Mn- в зону проводимости. Установлено, что в квантовой яме GaAs/AlGaAs степень спиновой ориентации электронов в зоне проводимости при такой схеме возбуждения может достигать 85%. При этом рост степени ориентации не связан с расщеплением уровней за счет размерного квантования, а происходит за счет увеличения вклада тяжелых дырок в состояние акцептора вблизи центра дефекта. Показано, что степень циркулярной поляризации фотолюминесценции при рекомбинации термализованных электронов со дна зоны и дырки в основном состоянии акцептора в квантовой яме может превышать 70%.
  • Оптическая ориентация, под ред. Ф. Майера, Б.П. Захарчени (Л., Наука, 1989)
  • Spin Physics in Semiconductors, ed. by M.I. Dyakonov (Springer, Berlin, 2008)
  • Yu. Kusrayev, G. Landwehr (Guest eds). Semicond. Sci. Technol., 23 (11), 110300 (2008). Special issue on optical orientation
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • D.M. Eagles. J. Phys. Chem. Solids, 16, 76 (1960)
  • M. Berciu, R. Chakarvorty, Y.Y. Zhou, M.T. Alam, K. Traudt, R. Jakiela, A. Barcz, T. Wojtowicz, X. Liu, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska. Phys. Rev. Lett., 102, 247 202 (2009)
  • M. Bozkurt, V.A. Grant, J.M. Ulloa, R.P. Campion, C.T. Foxon, E. Marega, G.J. Salamo, P.M. Koenraad. Appl. Phys. Lett., 96, 042 108 (2010)
  • М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971)
  • М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТП, 7, 2335 (1973)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. ФТТ, 30, 765 (1988)
  • V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona. Phys. Status Solidi B, 226, 339 (2001)
  • Ю.М. Демков, В.Н. Островский. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике (Л., Изд-во ЛГУ, 1975)
  • G. Lucovsky. Solid State Commun., 3, 299 (1965)
  • В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 82, 237 (1982)
  • A.M. Monakhov, K.S. Romanov, I.E. Panaiotti, N.S. Averkiev. Solid State Commun., 140, 422 (2006)
  • И.А. Меркулов, В.И. Перель, М.Е. Портной. ЖЭТФ, 99, 1202 (1991)
  • Е.Л. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус. ЖЭТФ, 98, 989 (1990)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безузлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  • М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТТ, 13, 3581 (1971)
  • М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 178 (1986)
  • G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  • Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  • N.S. Averkiev, L.E. Golub, M. Willander. J. Phys.: Condens. Matter, 14, R271 (2002)
  • E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phynomena (Springer, Berlin, 1997)
  • M.P. Walser, U. Siegenthaler, V. Lechner, D. Schuh, S.D. Ganichev, W. Wegscheider, G. Salis. Phys. Rev. B, 86, 195 309 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.