Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей alpha-Si : H/mu c-Si : H при повышенной освещенности
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Представлены описание созданной экспериментальной установки и методика ее использования для проведения ускоренных испытаний тонкопленочных фотопреобразователей alpha-Si : H/mu c-Si : H размером до 100x100 мм на световую деградацию при повышенной освещенности (до 10 кВт/м2). Проведено сравнение результатов оценки уровня фотоиндуцированной деградации фотопреобразователей по стандартной и разработанной методике и показано, что методика исследования фотоиндуцированной деградации при повышенной освещенности позволяет в 100 раз сократить время проведения испытаний, обеспечивая полностью адекватную оценку стабильности фотопреобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния.
- С.R. Wronsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 469, 7 (1997)
- D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
- A. Kolodziej, C.R. Wronski, P. Krewniak, S. Nowak. Opto-Electronics Rev., 12, 21 (2004)
- X. Deng, M. Izu, K.L. Narasimhan, S.R. Ovshinsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 336, 699 (1994)
- A. Luque, S. Hegedus. Handbook of photovoltaic science and engineering (John Wiley and Sons, 2003) p. 551
- W. Luft, B. van Roedem, B. Stafford, L. Mrig. Proc. 23rd IEEE PVSC (Louisville, KY, 1993) p. 860
- T. Tonon, X. Li, A.E. Delahoy. AIP Conf. Proc., 234, 259 (1991)
- IEC 61646. Thin-film Terrestrial Photovoltaic (PV) Modules-Design, Qualification and Type Approval. 2nd edn (2008)
- M. Stutzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)
- IEC 60904-9 Photovoltaic devices. Pt 9: Solar simulator performance requirements, 2nd edn (2007)
- Werner Luft, Bolko von Roedern. Proc. of 1st WCPEC (Waikoloa, Hawai, 1994) p. 457
- IEC 60904-10 Photovoltaic devices. Pt 10: Methods of linearity measurement. 2nd edn (2009)
- В.М. Емельянов и др. ФТП, 45, 667 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
