Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.
Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO2(Y)/n-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO2(Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, МДП-структуры, стабилизированный диоксид циркония, наночастицы Au, фоточувствительность.
- S.H. Lee, X. Zhu, W.D. Lu. Nano Res., 13, 1228 (2020)
- J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev., 7, 011312 (2020)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма ЖТФ, 42 (10), 78 (2016)
- A. Mehonic, T. Gerard, A.J. Kenyon. Appl. Phys. Lett., 111 (23), 233502 (2017)
- V.A. Volodin, G.N. Kamaev, M.Vergnat. Phys. Status Solidi RRL, 2000165 (2020)
- V.A. Volodin, P. Geydt, G.N. Kamaev, A.A. Gismatulin, G.K. Krivyakin, I.P. Prosvirin, I.A. Azarov, Z. Fan, M. Vergnat. Electronics, 9, 2103 (2020)
- A.S. Novikov, D.O. Filatov, D.A. Antonov, I.N. Antonov, M.E. Shenina, O.N. Gorshkov. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012026 (2018)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина. Письма ЖТФ, 40 (9), 9 (2014)
- O. Gorshkov, I. Antonov, D. Filatov, M. Shenina, A. Kasatkin, A. Bobrov, M. Koryazhkina, I. Korotaeva, M. Kudryashov. Adv. Mater. Sci. Eng., 2017, 1759469 (2017)
- С. Зи, Физика полупроводниковых приборов (пер. с англ.) (М., Мир, 1984) т. 1
- T.S. Moss. J. Electron. Control, 1 (2), 126 (1955)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
