Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg0.7Cd0.3Te
Андрющенко Д.А.
1, Ружевич М.С.
1, Смирнов А.М.
1, Баженов Н.Л.
2, Мынбаев К.Д.
2, Ремесник В.Г.
31Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: dimitriy296@mail.ru, mazaahaaka@gmail.com, andrei.smirnov@niutmo.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, remesnik@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 6 июня 2021 г.
Принята к печати: 6 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
Приводятся результаты сравнительных исследований оптических и структурных свойств объемных кристаллов и эпитаксиальных пленок Hg0.7Cd0.3Te, выращенных различными методами. Данные исследований фотолюминесценции образцов в диапазоне температур 4.2-300 K показали схожесть их оптических свойств и указывали на существенное разупорядочение твердого раствора. По данным рентгеновской дифракции, однако, масштаб разупорядочения не был напрямую связан со структурным качеством материала. Обсуждены перспективы использования материала, выращенного различными методами, в приложениях оптоэлектроники. Ключевые слова: HgCdTe, дефекты, люминесценция, рентгеновская дифракция.
- F.Y. Yue, S.Y. Ma, J. Hong, P.X. Yang, C.B. Jing, Y. Chen, J.H. Chu. Chin. Phys. B, 28, 017104 (2019)
- X.F. Qiu, S.X. Zhang, J. Zhang, Y.C. Zhu, C. Dou, S.C. Han, Y. Wu, P.P. Chen. Crystals, 11, 296 (2021)
- M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, A. Keb owski, J. Piotrowski. Semicond. Sci. Technol., 36, 055003 (2021)
- D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
- W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2, 041303 (2015)
- C.R. Tonheim, A.S. Sudb, E. Selvig, R. Haakenaasen. IEEE Photon. Technol. Lett., 23, 36 (2011)
- J.P. Zanatta, F. Noel, P. Ballet, N. Hdadach, A. Million, G. Destefanis, E. Mottin, C. Kopp, E. Picard, E. Hadji. J. Electron. Mater., 32, 602 (2003)
- E. Hadji, E. Picard, C. Roux, E. Molva, P. Ferret. Optics Lett., 25, 725 (2000)
- M. Reddy, X. Jin, D.D. Lofgreen, J.A. Franklin, J.M. Peterson, T. Vang, N. Juanko, F. Torres, K. Doyle, A. Hampp, S.M. Johnson, J.W. Bangs. J. Electron. Mater., 48, 6040 (2019)
- V.Ya. Aleshkin, V.V. Rumyantsev, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, G. Alymov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys., 129, 133106 (2021)
- А.В. Шиляев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Грешнов. ЖТФ, 87, 419 (2017)
- Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
- K.E. Mironov, V.K. Ogorodnikov, V.D. Rozumnyi, V.I. Ivanov-Omskii. Phys. Status Solidi A, 78, 125 (1983)
- И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, J. Piotrowski, К.Д. Мынбаев. Изв. вузов. Физика, N 9/2, 89 (2013)
- C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10353 (2000)
- R. Legros, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 72, 264 (1985)
- P. Gille, K.H. Herrmann, N. Puhlmann, M. Schenk, J.W. Tomm, L. Werner. J. Cryst. Growth, 86, 593 (1988)
- A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 101, 673 (1990)
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
- I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.V. Shilyaev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, O.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovsky. Opto-Electron. Rev., 21, 390 (2013)
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.М. Смирнов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. ФТП, 54, 1302 (2020)
- D.A. Andryushchenko, I.N. Trapeznikova, N.L. Bazhenov, M.A. Yagovkina, K.D. Mynbaev, V.G. Remesnik, V.S. Varavin. J. Phys. Conf. Ser., 1400, 066038 (2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.