Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Создание и свойства фоточувствительных структур на монокристаллах ZnIn₂S₄

Вайполин А.А.¹, Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Fernelius N.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA

Поступила в редакцию: 10 июня 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn₂S₄. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn₂S₄, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и полученных структур. Сделаны выводы о возможностях практического применения поверхностно-барьерных структур и гетеропереходов из ZnIn₂S₄ в качестве широкополосных фотодетекторов естественного излучения.

Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, Н.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
А.А. Лебедев, П.Н. Метлинский, Ю.В. Рудь, В.Г. Тырзыу. ФТП, 11, 1038 (1977)
А.В. Лунев, П.Н. Метлинский, Ю.В. Рудь, В.Г. Тырзыу, Ю.К. Ундалов. ЖПС, 43, 312 (1985)
Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
Ю.А. Валов, А.А. Лебедев, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 2 (22), 1042 (1976)
A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
А.А. Лебедев, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 1 (4), 195 (1975)
В.Л. Панютин, Б.Э. Понедельников, А.Э. Розенсон, В.И. Чижиков. ФТП, 14, 1000 (1981)
V.I. Chizhikov, V.L. Panyutin, B.E. Ponedelnikov, A.F. Rosenson. J. de Phys., 42, 1003 (1981)
В.И. Чижиков. Автореф. докт. дис. (Краснодар, Кубанский ГУ, 2001)
I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31, 261 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель