"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC
Литвинов В.Л.1, Демаков К.Д.1, Агеев О.А.2, Светличный А.М.2, Конакова Р.В.1, Литвин П.М.3, Литвин О.С.3, Миленин В.В.3
1Научно-исследовательский центр Института информационных технологий "Институт им. Курчатова", Москва, Россия
2Таганрогский государственный радио-технический университет, ГСП-17А Таганрог, Россия
3Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

До и после быстрого термического отжига в вакууме (10-2 Па) в интервале температур 450--1100oC исследованы поверхностно-барьерные структуры Ni/n-21R-SiC (0001) и Ni/n-21R-SiC (0001), сформированные на монокристаллах 21R-SiC, выращенных методом Лели с концентрацией легирующей примеси (1-2)· 1018 см-3. Методами рентгеновской дифракции и оже-анализа показано, что в исходных образцах наряду с чистым никелем гексагональной модификации наблюдаются силициды никеля NiSi2 кубической модификации, и delta-Ni2Si, NiSi ромбической модификации. Быстрый термический отжиг приводит к полиморфным превращениям этих фаз, обусловливающим уже при T>~= 600o трансформацию барьерного контакта в омический независимо от типа грани карбида кремния. Обсуждаются физические механизмы деградации этих барьерных структур.
  • R.J. Trew, Jing-Bang Tan, P.M. Mock. Proc IEEE, 79 (5), 598 (1991)
  • P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov. Semicon. Sci. Technol., 7, 863 (1992)
  • П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (11), 1921 (1995)
  • А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
  • А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29 (10), 1833 (1995)
  • А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский. ФТП, 33 (8), 959 (1999)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35 (12), 1437 (2001)
  • L.M. Poter, R.F. Davis. Mater. Sci. Eng., B34, 83 (1995)
  • B. Pecz. Appl. Surf. Sci., 153, 1 (2001)
  • S.Y. Han, K.H. Kim, J.K. Kim, H.W. Jang, K.H. Lee, N.-K. Kim, E.D. Kim, J.-L. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
  • A. Kokanakova--Georgieva, Ts. Marinova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski. Thin Sol. Films, 343-- 344, 637 (1999)
  • В.И. Стриха, Е.В. Бузанева. Физические основы надежности контактов металл--полупроводник в интегральной электронике (М., Радио и связь, 1987)
  • Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Г.С. Короченков, В.В. Меленин, Э.В. Руссу, И.В. Прокопенко. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs (Киев, КТНК, 1999)
  • M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, A.A. Petrov, A.I. Babinin, M.A. Yagovkina, I.P. Nikitina. Mater. Sci. Eng., B46, 254 (1997)
  • H.S. Lee, S.-W. Lee, D.H. Shin, H.-C. Park, W. Jung. J. Korean Phys. Sci., 34 (6), s 558 (1999)
  • Д.А. Сеченов, А.М. Светличный. Электронная промышленность, N 3, 6 (1991)
  • V.L. Litvinov, K.D. Demakov, O.A. Ageev, O.M. Svetlichny, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin. Abstr. IV Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (May 30--31, 2002, Novgorod the Great, Russia) p. 67
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник, пер. с англ. под ред. Г.В. Степанова (М., Радио и связь, 1982)
  • A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  • F.A. Padovani, R. Stattion. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • K. Varahramyan, E.J. Verret. Sol. St. Electron., 39 (11), 1601 (1996)
  • O.A. Ageev, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichnyi, D.A. Izotovs. Abstr. IV Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (May 30--31, 2002, Novgorod the Great, Russia) p. 67
  • С.Б. Кущев. Автореф. докт. дис. (ВГТУ, 2000)
  • А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 83 (1982)
  • Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС, пер. с англ. под ред. Ю.Д. Чистякова (М., Мир, 1986)
  • О.М. Барабаш, Ю.Н. Коваль. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.