"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC
Лебедев А.А.1, Стрельчук А.М.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Трегубова А.С.1, Кузнецов А.Н.1, Соловьев В.А.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Методом сублимационной эпитаксии в вакууме на основе 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- и p-типа проводимости. На основе полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюминесценции. Показано, что характеристики исследованных диодов близки к характеристикам диодов на основе объемного 3C-SiC. Сделан вывод о применимости метода сублимационной эпитаксии для получения 3C-SiC p-n-структур на основе подложек других политипов карбида кремния.
  • D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova et. al. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 221 (2000)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  • A.N. Andreev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng., B46, 141 (1997)
  • А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27, 57 (2001)
  • J.I. Goldstein et al. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis (N. Y., Plenum. Press. 1981)
  • P. Zhou, M.G. Spenser, G.L. Harris, K. Fekade. Appl. Phys. Lett., 50, 1385 (1987)
  • K. Zekentes, M. Kayambaki, G. Constantinidis. Appl. Phys. Lett., 66, 3015 (1995)
  • A.M. Strel'chuk, V.S. Kiselev, S.E. Avramenko. Mater. Sci. Eng., B61-- 62, 437 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.