Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 6 » Статья стр. 534
<<<>>>
Фазовые превращения в композитных пленках системы Se-Cu, полученных взрывной кристаллизацией и термическим отжигом
DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52615.9802
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.06.53533.9802
РФФИ, 19-02-00112
Когай В.Я.1, Могилева Т.Н.1, Фатеев А.Е.1, Михеев Г.М.1
1Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: vkogai@udman.ru, mogileva@udman.ru, a.e.fateev@mail.ru, mikheev@udman.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2022 г.
В окончательной редакции: 14 февраля 2022 г.
Принята к печати: 14 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований фазового превращения в композитных пленках системы Se-Cu, полученных в вакууме в процессе последовательного термического осаждения селена и меди на стеклянную подложку. При фиксированной толщине слоя селена (45 нм) исследовалось влияние толщины слоя меди (40-115 нм) на фазовый состав синтезированных пленок, формируемых в процессе взрывной кристаллизации, происходящей при взаимодействии горячих кластеров меди с легкоплавким селеном. Установлено, что последующий термический отжиг синтезированных пленок сопровождается существенным изменением их фазового состава и спектров оптического пропускания. Ключевые слова: фазовые превращения, композитные пленки системы Se-Cu, взрывная кристаллизация, термический отжиг, оптические свойства.
  1. S.R. Gosavi, N.G. Deshpande, Y.G. Gudage, R. Sharma. J. Alloys Compd., 448, 344 (2008)
  2. R. Yu, T. Ren, K. Sun, Z. Feng, G. Li, C. Li. J. Phys. Chem. C, 113, 10833 (2009)
  3. Y. Zhang, C. Hu, C. Zheng, Y. Xi, B. Wan. J. Phys. Chem. C, 114, 14849 (2010)
  4. Y. Zhang, Z.P. Qiao, X.M. Chen. J. Mater. Chem., 12, 2747 (2002)
  5. V. Milman. Acta Crystallogr. Sect. B, B58, 437 (2002)
  6. Е.А. Федорова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, В.И. Воронин, В.Г. Бамбуров. Неорг. матер., 55, 123 (2019)
  7. А.А. Иванов, А.И. Сорокин, В.П. Панченко, И.В. Тарасова, Н.Ю. Табачкова, В.Т. Бублик, Р.Х. Акчурин. ФТП, 51, 904 (2017)
  8. Z. Zainal, S. Nagalingam, T.C. Loo. Mater. Lett., 59, 1391 (2005)
  9. T. Liu, Y. Hu, W.B. Chang. Mater. Sci. Eng. B, 180, 33 (2014)
  10. F. Lin, G.Q. Bian, Z.X. Lei, Z.J. Lu, J. Dai. Solid State Sci., 11, 972 (2009)
  11. Y.H. Lv, J.K. Chen, M. Dobeli, Y.L. Li, X. Shi, L.D. Chen. J. Inorg. Mater., 30, 1115 (2015)
  12. V.S. Gurin, A.A. Alexeenko, S.A. Zolotovskaya, K.V. Yumashev. Mater. Sci. Eng. C, 26, 952 (2006)
  13. Л.Н. Маскаева, Е.А. Федорова, В.Ф. Марков, М.В. Кузнецов, О.А. Липина, А.В. Поздин. ФТП, 52, 1213 (2018)
  14. В.Я. Когай, А.В. Вахрушев, А.Ю. Федотов. Письма ЖЭТФ, 95, 514 (2012)
  15. В.Я. Когай, Г.М. Михеев. Письма ЖТФ, 46, 32 (2020)
  16. Г.М. Михеев, В.Я. Когай, Р.Г. Зонов, К.Г. Михеев, Т.Н. Могилева, Ю.П. Свирко. Письма ЖЭТФ, 109, 739 (2019)
  17. G.M. Mikheev, V.Y. Kogai, T.N. Mogileva, K.G. Mikheev, A.S. Saushin, Y.P. Svirko. Appl. Phys. Lett., 115, 061101 (2019)
  18. G.M. Mikheev, V.Y. Kogai, K.G. Mikheev, T.N. Mogileva, A.S. Saushin, Y.P. Svirko. Mater. Today Commun., 21, 100656 (2019)
  19. G.M. Mikheev, V.Y. Kogai, K.G. Mikheev, T.N. Mogileva, A.S. Saushin, Y.P. Svirko. Opt. Express, 29, 2112 (2021)
  20. G.M. Mikheev, A.E. Fateev, V.Y. Kogai, T.N. Mogileva, V.V. Vanyukov, Y.P. Svirko. Appl. Phys. Lett., 118, 201105 (2021)
  21. P.P. Hankare, A.S. Khomane, P.A. Chate, K.C. Rathod, K.M. Garadkar. J. Alloys Compd., 469, 478 (2009)
  22. V.M. Garcia, P.K. Nair, M.T.S. Nair. J. Cryst. Growth, 203, 113 (1999)
  23. O. Arellano-Tanori, M.C. Acosta-Enri quez, R. Ochoa-Landi n, R. Iniguez-Palomares, T. Mendi vil-Reynoso, M. Flores-Acosta, S.J. Castillo. Chalcogenide Lett., 11, 13 (2014)
  24. A. Jagminas, R. Juvskenas, I. Gailiute, G. Statkute, R. Tomavsiunas. J. Cryst. Growth, 294, 343 (2006)
  25. D. Patidar, N.S. Saxena. J. Cryst. Growth, 343, 68 (2012)
  26. А.Б. Лебедь, С.С. Набойченко, В.А. Шунин. Производство селена и теллура (Екатеринбург, Изд-во Урал. ун-та, 2015)
  27. А.В. Любченко. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
  28. A. El-Denglawey, M.M. Makhlouf, M. Dongol. Results Phys., 10, 714 (2018)
  29. В.Я. Когай. Письма ЖТФ, 44, 3 (2018)
  30. Е.В. Александрович, Е.В. Степанова, A.В. Вахрушев, А.Н. Александрович, Д.Л. Булатов. ЖТФ, 83, 50 (2013)
  31. В.Я. Когай. Письма ЖТФ, 40, 14 (2014)
  32. E.V. Aleksandrovich, A.N. Aleksandrovich, G.M. Mikheev. J. Non-Cryst. Sol., 545, 120249 (2020)
  33. M. Lakshmi, K. Bindu, S. Bini, K.P. Vijayakumar, C.S. Kartha, T. Abe, Y. Kashiwaba. Thin Sol. Films, 386, 127 (2001)
  34. B. Pejova, I. Grozdanov. J. Solid State Chem., 158, 49 (2001)
  35. I.G. Shitu, J.Y.C. Liew, Z.A. Talib, H. Baqiah, M.M.A.K. Kechik, M.A.K. Kamarudin, N.H. Osman, Y.J. Low, I.I. Lakin. ACS Omega, 6, 10698 (2021)
  36. B. Maack, N. Nilius. Corros. Sci., 159, 108112 (2019)
  37. H. Ahn, Y. Um. J. Korean Phys. Soc., 64, 1600 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme