Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет г. Линчепинга, Отделение физики и экспериментальной технологии, S-581 83 Линчепинг, Швеция
2Университет г. Линчепинга, Отделение физики и экспериментальной технологии, S-581 83 Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 9 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Представлены результаты сравнительного анализа качества эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции слоев обоих типов носят экситонный характер. Для точного определения природы экситонных переходов были сняты спектры отражения. Акцент работы сделан на исследовании экситонной люминесценции с участием фононов, что дает информацию о плотности распределения экситонных состояний. Исследованы температурные зависимости энергий экситонных переходов и отношения интенсивностей первой и второй фононных реплик. Выполненные исследовaния показали хорошее качество обоих типов слоев GaN, хотя в слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, присутствует большее количество примесей акцепторного типа.
- С.А. Пермогоров. Экситоны, под ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стерджа (М., Наука, 1985) с. 130
- Р. Нокс. Теория экситонов (М., Мир, 1966)
- Е.Ф. Гросс, С.А. Пермогоров, Б.С. Разбирин. УФН, 103 (3), 431 (1971)
- T. Paskova, S. Tungasmita, E. Valcheva, E. Svedberg, B. Arnaudov, S. Evtimova, P.O.A. Persson, A. Henry, R. Beccard, M. Heuken, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W3.14 (2000)
- V.N. Jmerik, V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Mater. Sci. Eng., B59, 60 (1999)
- B. Monemar. Mater. Sci. Eng., B59, 122 (1999)
- B. Monemar, J.P. Bargman, T. Lundstrom, C.I. Harris, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Proc. Topical Workshop on III--V Nitrides (Nagoya, Japan, 1995). [Sol. St. Electron., 41, 181 (1997)]
- S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 79, 2784 (1996)
- R. Passler. J. Appl. Phys., 83, 3356 (1998)
- K. Thonke, K. Kornitzer, M. Grehl, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski. IPAP Conf. Ser. 1: IWN2000, 587 (2000)
- K.P. Korona, A. Wysmolek, J.M. Baranovski, K. Pakula, J.P. Bergman, B. Monemar, I. Grzegory, S. Porowski. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 501 (1998)
- T.V. Shubina, T. Paskova, A.A. Toropov, A.V. Lebedev, S.V. Ivanov, B. Monemar. Phys. St. Sol. (b), 228 (2), 481 (2001)
- I.A. Buyanova, J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki, A. Wysmolek, P. Lomiak, J.M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, K.R. Korona, I. Grzegory, M. Bockowski, S. Porowski. Sol. St. Commun., 8, 497 (1998)
- А.И. Ансельм, Ю.А. Фирсов. ЖЭТФ, 30, 719 (1956)
- К.К. Ребане, В.Г. Федосеев, В.В. Хижняков. Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников (М., 1968)
- E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Mu noz, U. Jahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 826 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
