Вышедшие номера
Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.07.54783.07
Забавичев И.Ю.1,2, Пузанов А.С. 1,2, Оболенский С.В. 1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
Email: zabavichev.rf@gmail.com, aspuzanov@inbox.ru, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Исследовано влияние формирования единичного кластера радиационных дефектов на характеристики короткоканальных структур. Проведены оценки величины энергии ядерной частицы, способной сформировать кластер радиационных дефектов, вызывающий сбой и отказ работы современных кремниевых транзисторов с различными размерами рабочих областей. Ключевые слова: короткоканальный транзистор, кластер радиационных дефектов, одиночный сбой.