Вышедшие номера
Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах
Воробьев Л.Е.1, Данилов С.Н.1, Зерова В.Л.1, Фирсов Д.А.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Исследованы процессы разогрева электронов сильным продольным электрическим полем и рассеяния энергии неравновесных электронов на полярных оптических фононах в прямоугольных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Предложена простая модель расчета скорости рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах. Рассмотрены результаты некоторых экспериментов по разогреву носителей заряда в квантовых ямах и показано, что учет неравновесных оптических фононов значительно улучшает согласие теоретических и экспериментальных данных.
  1. J. Shah. In: Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya [Ser. Modern problems in condensed matter sciences, ed. by V.M. Agranovich, A.A. Maradudin (Elsevier Science, Netherlands, 1992) v. 35, p. 57]
  2. H.T. Grahn, J. Kastrup, K. Ploog, L. Bonilla, J. Galan, M. Kindelan, M. Moscoso. Jap. J. Appl. Phys., 34, 4526 (1995)
  3. J. Kastrup, R. Klann, H.T. Grahn, K. Ploog, L. Bonilla, J. Galan, M. Kindelan, M. Moscoso, R. Merlin. Phys. Rev. B, 52, 13 761 (1995)
  4. L.L. Bonilla. In: Nonlinear Dynamics and Pattern Formation in Semiconductors, ed. by F.-J. Niedernostheide (Springer, Berlin, 1995) chap. 1
  5. E. Shomburg, A.A. Ignatov, J. Grenzer, K.F. Renk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, B. Ja. Melzer, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 68, 1096 (1996)
  6. L.E. Vorobjev, V.I. Stafeev, A.V. Shturbin. Phys. St. Sol. (b), 53, 47 (1972)
  7. Л.Е. Воробьев, Ф.И. Осокин, В.И. Стафеев, А.В. Штурбин. ФТП, 8, 1281 (1974)
  8. Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974)
  9. K. Hess, G.J. Iafrate. In: Hot-Electron Transport in Semiconductors, ed. by L. Reggiani (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 1985) chap. 7
  10. B.K. Ridley. In: Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. by J. Shah. (Academic Press Inc., USA, 1992) chap. 2
  11. R. Gupta, N. Balcan, B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 7, B274 (1992)
  12. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
  13. B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 4, 1142 (1989)
  14. R. Fuchs, K.L. Kleiwer. Phys. Rev., 140, A2076 (1965)
  15. K. Huang, B. Zhu. Phys. Rev. B, 38, 2183 (1988)
  16. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 34, 1053 (2000)
  17. В.Л. Гуревич, Д.А. Паршин, К.Э. Штенгель. ФТТ, 30, 1466 (1988)
  18. B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982)
  19. V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum heterostructures (Cambridge, University Press, 1999) p. 242
  20. J.A. Kash, J.C. Tsang, J.M. Hvam. Phys. Rev. Lett., 54, 2151 (1989)
  21. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах., под ред. Л.Е. Воробьева (СПб., Изд-во ГТУ, 1999) с. 5
  22. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.А. Зибик, Ю.В. Кочегаров, Д.А. Фирсов, Е. Тове, В. Сан, А.А. Торопов, Т.В. Шубина. ФТП, 29, 1136 (1995)
  23. J. Shah. Phys. Rev. B, 54, 2945 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.