Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование трибоэлектрических зарядов в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках методами сканирующей зондовой микроскопии

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52765.20

Российский научный фонд, грант No 22-22-20084 (https://rscf.ru/project/22-22-20084/)

Санкт-Петербургский научный фонд, соглашение от 14 апреля 2022 г., грант No 24/2022

Гущина Е.В.¹, Дунаевский М.С.¹, Малых Д.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: katgushch@yandex.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

PDF версия

Выполнены исследования трибоэлектрических зарядов на тонких пленках high-k диэлектриков LaScO₃, полупроводниковых "флэйках" MoSe₂ и сегнетоэлектрических PZT пленках методами сканирующей зондовой микроскопии. Показано, что величина накапливаемого трибоэлектрического заряда в данных пленках зависит от их толщины. Наиболее сильный эффект наблюдается в PZT пленке толщиной 100 нм и пленке LaScO₃ толщиной 6 нм. Также экспериментально обнаружена зависимость величины регистрируемого трибоэлектрического потенциала от силы прижима и материала зонда. Ключевые слова: СЗМ исследования, трибоэлектрические заряды, тонкие пленки, сегнетоэлектрические пленки.

F.R. Fan, Z.Q. Tian, Z.L. Wang. Nano Energy, 1, 328 (2012)
Y. Liu, J. Ping, Y. Ying. Adv. Functional Mater., 31, 2009994 (2021)
Y. Meng, J. Zhao, X Yang, C. Zhao, S. Qin, J.H. Cho, C. Zhang, Q. Sun, Zhong, L. Wang. ACS Nano, 12, 9381 (2018)
M. Seol, S. Kim, Y. Cho, K.E. Byun, H. Kim, J. Kim, S.K. Kim, S.W. Kim, H.J. Shin, S. Park. Adv. Mater., 30 (39), 1801210 (2018)
Yu.S. Zhou, Y. Liu, G. Zhu, Z.-H. Lin, C. Pan, Q. Jing, Z.L. Wang. Nano Lett., 13 (6), 2771 (2013)
S. Lin, Zh. Lin Wang. Appl. Phys. Lett., 118, 193901 (2021)
J.M.J. Lopes., U. Littmark, M. Roeckerath, St. Lenk, J. Schubert, S. Mantl. J. Appl. Phys., 101, 104109 (2007)
P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskii, E.V. Gushchina, E.D. Ozben. Techn. Phys. Lett., 39 (5), 427 (2013)
L.A. Delimova, E.V. Gushchina, N.V. Zaitseva, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Phys. Solid State, 60 (3), 553 (2018)
R. Yang, R. Xu, W. Dou, M. Benner. Nano Energy, 83, 105849 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель