Вышедшие номера
Исследование трибоэлектрических зарядов в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках методами сканирующей зондовой микроскопии
Российский научный фонд, грант No 22-22-20084 (https://rscf.ru/project/22-22-20084/)
Санкт-Петербургский научный фонд, соглашение от 14 апреля 2022 г., грант No 24/2022
Гущина Е.В.1, Дунаевский М.С.1, Малых Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: katgushch@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Выполнены исследования трибоэлектрических зарядов на тонких пленках high-k диэлектриков LaScO3, полупроводниковых "флэйках" MoSe2 и сегнетоэлектрических PZT пленках методами сканирующей зондовой микроскопии. Показано, что величина накапливаемого трибоэлектрического заряда в данных пленках зависит от их толщины. Наиболее сильный эффект наблюдается в PZT пленке толщиной 100 нм и пленке LaScO3 толщиной 6 нм. Также экспериментально обнаружена зависимость величины регистрируемого трибоэлектрического потенциала от силы прижима и материала зонда. Ключевые слова: СЗМ исследования, трибоэлектрические заряды, тонкие пленки, сегнетоэлектрические пленки.