E.H. Nicilian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physical and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
H. Watanabe, T. Baba, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 85, 6704 (1999)
E.M. Vogel, M.D. Edelstein, J.S. Suechle. J. Appl. Phys., 90, 2338 (2001)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 701 (1966)
V. Kuhn. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
G. Declerk, R. VAN Overstraeten, G. Broux. Sol. St. Electron., 16, 1451 (1973)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 1, 1 (2002)
В.Г. Приходько. Автореф. канд. дис. (М., 1982)
А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. ФТП, 17, 690 (1983)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89, 130 (2001)
J. Kwo, M. Hong, A.R. Kortan et al. J. Appl. Phys., 89, 3920 (2001)
R.S. Johnson, J.G. Hong, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1606 (2001)
R. Sharma, J.L. Fretwell, T. Ndai, S. Banerjee. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 460 (1999)
R. Wetzler, A. Wacker, E. Scholl et al. Appl. Phys. Lett., 77, 1671 (2000)
M.R. Boudry. Appl. Phys. Lett., 22, 530 (1973)
V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, 20, 208 (1986)