Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии

Попов Н.Л.¹, Успенский Ю.А.¹, Турьянский А.Г.¹, Пиршин И.В.¹, Виноградов А.В.¹, Платонов Ю.Я.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Osmic Inc., Auburn Hills, MT, USA

Поступила в редакцию: 9 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрен метод определения параметров многослойных наноструктур с помощью измерения угловой зависимости коэффициента отражения рентгеновских лучей на двух длинах волн. Предложена схема расчета, учитывающая специфику данного метода, которая позволяет работать с образцами любого размера и формы. Ее практическое опробование проведено на многослойных структурах C/Ni/C, Si_1-xGe_x, Al_xGa_1-xAs. Показано, что двухволновая рефлектометрия позволяет исключить влияние аппаратных ошибок и, таким образом, надежно определять толщину, плотность и состав слоев как поли-, так и монокристаллических наноструктур.

A.G. Touryanski, I.V. Pirshin. Instrumentation and Experimental Techn., 41 (5), 118 (1998)
А.Г. Турьянский, А.В. Виноградов, И.В. Пиршин. ПТЭ, 1, 105 (1999)
А.В. Виноградов, И.А. Брытов, А.Я. Грудский. Зеркальная рентгеновская оптика, под ред. А.В. Виноградова (Л., Машиностроение, 1989) с. 47
J.H. Holland. Adaptation in Natural and Artificial Systems (Ann Arbor, The University of Michigan Press, 1975)
E. Spiller. Soft X-ray Optics (Bellingham, SPIE, 1994)
Физические величины, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 98

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель