"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективный кремниевый светодиод с температурно-стабильными спектральными характеристиками
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Мельникова Т.М.2, Pizzini S.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НПО "Орион", Москва, Россия
3INFM and Department of Materials Science, Milan, Italy
Поступила в редакцию: 25 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Описывается влияние температуры на параметры зона-зонного спектра излучения изготовленного из монокристаллического кремния светодиода, в котором наблюдается самая высокая из известных температурная стабильность как интенсивности электролюминесценции в максимуме распределения по длинам волн (ImEL), так и длины волны, соответствующей этому максимуму (lambdam). Внутренняя квантовая эффективность светодиода при комнатной температуре оценивается величиной не менее 0.1%. Величина ImEL изменяется не более чем на ~ 10% при изменении температуры от 120 до 300 K. lambdam практически не изменяется в диапазоне температур 200-300 K. Рекордная стабильность lambdam связывается с интерференционными эффектами в окисной пленке, через которую выводится излучение светодиода. Показано, что одной из важных причин, определяющих стабильность ImEL, является уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда с уменьшением температуры.
  • M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  • Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  • Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, L. Tsybeskov. J. Appl. Phys., 90, 2310 (2001)
  • W. Michaelis, M.H. Pilkuhn. Phys. St. Sol., 36, 311 (1969)
  • T.-C. Ong, K.W. Terrill, S. Tam, C. Hu. IEEE El. Dev. Lett., EDL-4, 460 (1983)
  • А.М. Емельянов, А.Н. Якименко. Матер. 7 Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1997) с. 56
  • V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 123/124, 111 (1998)
  • R.D. Altukhov, E.G. Kuzminov. Sol. St. Commun., 111, 379 (1999)
  • А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 454 (2002)
  • C.W. Liu, M.H. Lee, Miin-Jang Chen, I.C. Lin, Ching-Fuh Lin. Appl. Phys. Lett., 76, 1516 (2000)
  • W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  • Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982) с. 302, 402
  • А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979) гл. 3, с. 103, 551, 577
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968) гл. 1, с. 16--19; гл. 2, c. 61, 62; гл. 5, с. 183--187
  • B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) гл. 1, с. 50
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.