Описывается влияние температуры на параметры зона-зонного спектра излучения изготовленного из монокристаллического кремния светодиода, в котором наблюдается самая высокая из известных температурная стабильность как интенсивности электролюминесценции в максимуме распределения по длинам волн (ImEL), так и длины волны, соответствующей этому максимуму (lambdam). Внутренняя квантовая эффективность светодиода при комнатной температуре оценивается величиной не менее 0.1%. Величина ImEL изменяется не более чем на ~ 10% при изменении температуры от 120 до 300 K. lambdam практически не изменяется в диапазоне температур 200-300 K. Рекордная стабильность lambdam связывается с интерференционными эффектами в окисной пленке, через которую выводится излучение светодиода. Показано, что одной из важных причин, определяющих стабильность ImEL, является уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда с уменьшением температуры.
M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, L. Tsybeskov. J. Appl. Phys., 90, 2310 (2001)
W. Michaelis, M.H. Pilkuhn. Phys. St. Sol., 36, 311 (1969)
T.-C. Ong, K.W. Terrill, S. Tam, C. Hu. IEEE El. Dev. Lett., EDL-4, 460 (1983)
А.М. Емельянов, А.Н. Якименко. Матер. 7 Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1997) с. 56
V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 123/124, 111 (1998)
R.D. Altukhov, E.G. Kuzminov. Sol. St. Commun., 111, 379 (1999)
А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 454 (2002)
C.W. Liu, M.H. Lee, Miin-Jang Chen, I.C. Lin, Ching-Fuh Lin. Appl. Phys. Lett., 76, 1516 (2000)
W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982) с. 302, 402
А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979) гл. 3, с. 103, 551, 577
Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968) гл. 1, с. 16--19; гл. 2, c. 61, 62; гл. 5, с. 183--187
B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) гл. 1, с. 50
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)