"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ полосы излучения комплeксов VGaTeAs в n-GaAs при одноосном давлении
Гуткин А.А.1, Ермакова А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

В приближении малости отклонений осей излучающих оптических диполей комплексов VGaTeAs в GaAs от одного из направлений типа < 111> проанализирована форма спектра широкой бесструктурной полосы фотолюминесценции этих дефектов при давлении 10 кбар вдоль оси [111]. Для выявления расщепившихся компонент этой полосы, принадлежащих центрам разной ориентации, развита методика, использующая закономерности пьезоспектроскопического поведения анизотропных центров и применение измерений спектров в случаях, когда электрический вектор световой волны параллелен и перпендикулярен оси давления. Подтверждена модель, принятая при анализе, и определено, что расщепление энергий центров разной ориентации при давлении 10 кбар примерно равно 38 мэВ, а относительная доля ротатора, описывающая в классическом дипольном приближении поляризационные свойства света, излучаемого отдельным комплексом, составляет 0.15. Это свидетельствует о сравнимости роли спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий в формировании излучающего состояния комплекса.
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • Ф.Н. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, 896 (1973)
  • H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, 1201 (2000)
  • A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovski. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995)
  • A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18 Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23--28, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida. [Mater. Sci. Forum, 196--201, pt 1, 231 (1995)]
  • N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, E.B. Osipov, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovski. Proc. 1 Nat. Conf. on Defects in Semicond. (St. Petersburg, Russia, Apr. 26--30, 1992), ed. by N.T. Bagraev. [Def. Dif. Forum, 103--106, 31 (1993)]
  • A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28, Suppl., N 8--9, 4 (1967)
  • М.В. Фок. Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева, 59, 3 (1972)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37 (3), 287 (2003)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.