Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные структуры на монокристаллах фосфида бора

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом стационарной кристаллизации выращены монокристаллы фосфида бора. Предложены и созданы новые фоточувствительные структуры In/p-BP и H₂O/p-BP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Определены характер и энергии прямых и непрямых межзонных переходов. Сделан вывод о возможностях практического применения полученных структур из фосфида бора.

J.T. Glass, R. Messier, N. Fujimori. Diamond Silicon and Related Wide Bangap Semiconductors, MRS Symp. Proc. N 162 (Pitsburg, PA; Materials Research Society, 1990)
M. Ferhat, A. Zaoui, M. Certier, M. Aourag. Physica B, 252, 229 (1998)
B. Bouhafs, H. Aourag, M. Ferhat, M. Certier. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 5781 (1999)
A. Zaoui, F. El Hag Hassan. J. Phys.: Condens. Matter, 13, 253 (2001)
R.J. Archer, R.Y. Koyama, E.E. Loebner, R.C. Lucas. Phys. Rev. Lett., 12, 538 (1964)
Landolt-Bornstein. New Series, 17a, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1982)
S. Nishimura, S. Matsumoto, K. Tarashima. Opt. Mat., 19, 223 (2002)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (Мир, М., 1975)
С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов. Письма ЖТФ, 18 (24), 11 (1992)
Ю.А. Уханов. Оптические свойства полупроводников (Наука, М., 1977)
P. Mori-Sanchez, A.M. Pendas, V. Luana. Phys. Rev. B, 63, 125 103 (2001)
L. Lin, G.T. Woods, T.A. Callcott. Phys. Rev. B, 63, 235 107 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель