Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 9 » Статья стр. 1025
>>>
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
PDF версия
В последние годы в связи с требованиями медицины, биологии, военной техники и проблемой "озоновой дыры" сформировалась ультрафиолетовая фотоэлектроника. Ее особенностью является необходимость регистрировать слабые, но сильно влияющие на жизнедеятельность человека сигналы на фоне мощного видимого и инфракрасного излучения. Основой ультрафиолетовой электроники являются: p-n-структуры на основе Si, барьеры Шоттки на основе GaP, p-n-структуры и барьеры Шоттки на основе GaN и AlGaN (солнечно-слепые приборы), SiC-структуры с потенциальными барьерами (высокотемпературные приборы), ZnO- и ZnS-фоторезисторы и диоды Шоттки. В обзоре приведены параметры исходных широкозонных полупроводников, описаны физические основы процесса фотоэлектропреобразования, принципы создания омических контактов, представлены характеристики приборов и предполагаемые направления дальнейших исследований.
  1. Фотометрия. Термины и определения. ГОСТ-26148-84, приложение 1 (1992)
  2. L.R. Koller. Ultraviolet Radiation (N. Y., Wiley, 1965)
  3. E.E. Anderson. Fundamentals of Solar Energy Conversion (Reading, MA: Addison Wesley, 1983)
  4. И.Е. Гамелина, К.А. Самойлова. Механизм влияния на организм человека и животных крови, облученной ультрафиолетовым излучением (Л., Наука, 1986)
  5. В.Г. Бокша. Справочник по климатотерапии (Киев, Здоровье, 1989)
  6. WHO Environmental Hygienic Criterions. Ultraviolet Radiation (Geneva, International Radiation Protection Association and WHO, 1994) p. 160
  7. А. Васси. Атмосферный озон (М., Мир, 1968) [Пер. с англ.: A. Vassy. Atmospheric Ozone, Advances in Geophysics (N. Y.-L., 1965) v. 1]
  8. D.J. Karoly. Cancer Forum, 30, 1 (1996)
  9. Matthew P. Thekaekara. Appl. Optics, 13, 518 (1974)
  10. Д.В. Лазарев, Л.Н. Ляпунова. В сб.: Проблемы практической фотобиологии (Пущино, 1977) с. 11
  11. Э.Л. Александров, Ю.А. Израэль, И.Л. Кароль, А.Х. Хргиан. Озоновый шит Земли и его изменение (СПб., Гидрометеоиздат, 1992)
  12. P. Fraser. Proc. 2nd Menzies Found. Conf. " Health Consequences of Ozone Depletion" (Hobart, Australia, 1996)
  13. R. Stalarski, R. Cicerone. Canadian J. Chem., 52, 1610 (1974)
  14. M.J. Molina, F.S. Rowlard. Nature, 249, 810 (1974)
  15. D.J. Hofmann, S.J. Oltmans, B.J. Johnson, A. Lathrop, J.M. Harris, M. Vomel. Geophys. Res. Lett., 22, 2493 (1995)
  16. I.E. Galbally. Science, 193, 573 (1976)
  17. Ш. Роун. Озоновый кризис (М., Мир, 1993)
  18. J. Austin, D.J. Hofmann, N. Butchart, S.J. Oltmans. Geophys. Res. Lett., 22, 2489 (1995)
  19. D.J. Hofmann. Nature, 383, 129 (1996)
  20. J.R. Herman, P.A. Newman, O.D. Lark. Geophys. Res. Lett., 22, 3227 (1995)
  21. Y. Kondo, Y. Zhao, O. Uchino, T. Nagai, T. Fujimodo et al. Geophys. Res. Lett., 22, 3223 (1995)
  22. S. Staehelin, N.R.P. Harris, C. Appenzeller, J. Eberhard. Rev. Geophys., 39 (2), 231 (2001)
  23. P.B.C. Ren, F. Sigernes, Y. Gjessing. Geophys. Res. Lett., 24, 1359 (1997)
  24. C.S. Zeferos, D.S. Balis, A.F. Bais, D. Gillotay, P.C. Simon, B. Meyer, G. Seotmeyer. Geophys. Res. Lett., 24, 1363 (1997)
  25. CIAP Monography 5. Impact of climatic change on the biosphere, p. 1. UV radiation effects. DOT-TST-75-55 (Washington, DC, 1975)
  26. World Meteorological Organization ( WMO). Scientific assessment of ozone depletion (Geneva, WMO Global Ozone Research and Monitoring Project, 1994) report 37
  27. World Meteorological Organization ( WMO) and United National Environment Program ( UNEP). Climate Change 1995 --- The Science of Climate Change, Summery of Policymakers, Working Group 1 (Geneva, IPCC, 1995) p. 56
  28. Yu.A. Goldberg. Semicond. Sci. Technol., 14 (37), R41 (1999)
  29. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и фотоприемники. ГОСТ-17772-1988
  30. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и фотоприемники. Термины и определения. ГОСТ-21934-1983
  31. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  32. H.R. Philipp, E.A. Taft. Silicon Carbide --- a High Temperature Semiconductor (Oxford, Pergamon Press, 1960)
  33. D.E. Aspnes, S.M. Kenso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
  34. S.G. Sridhara, R.P. Devaty, W.J. Choyke. J. Appl. Phys., 84, 2963 (1998)
  35. Noriyuki Miyata, Rfzunori Moriki, Osumu Mishima, Masami Fujisawa, Takeo Hattori. Phys. Rev. B, 40, 12 028 (1989)
  36. C.R. Aita, C.J.G. Kubiak, F.Y.H. Shih. J. Appl. Phys., 66, 4360 (1989)
  37. R. Groth, E. Kauer. Phys. St. Sol., 1 (5), 445 (1961)
  38. J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, Jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
  39. J. Baillou, J. Daunay, P. Bugnet, J. Dauray, C. Auzary, R. Poindessault. J. Phys. Chem. Sol., 41 (3), 295 (1980)
  40. J.W. Tomm, B. Ullrich, X.G. Qiu, Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
  41. A. Zunger, A. Katzir, A. Halperin. Phys. Rev. B, 13, 5560 (1976)
  42. O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun., 97 (5), 365 (1997)
  43. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 1981)]
  44. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapore, World Scientific, 1996 [v. 1], 1999 [v. 2])
  45. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N. Y., John Wiley and Sons, 2001)
  46. H. Morko c, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  47. Lei Wang, M.I. Nathan, T.-H. Lim, M.A. Khan, Q. Chen. Appl. Phys. Lett., 68, 1267 (1996)
  48. M. Rebien, W. Henrion, M. Bar, C.-H. Fisher. Appl. Phys. Lett., 80, 3518 (2002)
  49. R. Trew, J.B. Yan, P.M. Mock. Proc. IEEE, 79, 598 (1991)
  50. A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71, 90 (1997)
  51. Technical report. III-V Review, 15 (2), 17 (2002)
  52. Y.P. Varshni. Physica, 34 (1), 149 (1967)
  53. D. Matsuura, T. Kanemitsu, T. Kushida, C.W. White, J.D. Budai, A. Meldrum. Appl. Phys. Lett., 77, 2289 (2000)
  54. J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67, 2657 (1995)
  55. А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29, 1833 (1995)
  56. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  57. Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 7, 2326 (1973)
  58. J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72, 4757 (1992)
  59. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  60. H. Sheng, S. Muthukumar, N.W. Emanetoglu, Y. Lu. Appl. Phys. Lett., 80, 2132 (2002)
  61. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
  62. E.V. Kalinina, N.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, A.I. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6, 1528 (1997)
  63. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
  64. Wei-Chin Lai. Abstract Int. Conf. on SiC, III-Nitrides Rel. Mater. (Stockholm, 1997) p. 12
  65. N.I. Kuznetsov, E.V. Kalinina, V.A. Soloviev, V.A. Dmitriev. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 395, 837 (1999)
  66. F. Lavia, F. Roccaforte, V. Raineri, P. Musumeci, L. Calcagno. Technical Digest Th-P-41 Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) p. 641
  67. Q.Z. Liu, L.S. Yu, F. Deng, S.S. Lau, J.M. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 881 (1998)
  68. L.S. Yu, D. Qiao, L. Jia, S.S. Lau, Y. Qi, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 79, 4536 (2001)
  69. O. Shigiltchoff, T. Kimoto, D. Hoodgood, P.P. Devaty, W.J. Choyke. Technical Digest We-B-23 Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) p. 291
  70. Ja-Soon Jang, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 76, 2743 (2000)
  71. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982) [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)]
  72. Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков, М.И. Шульга. ФТП, 25, 439 (1991)
  73. Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 9, 513 (1975)
  74. R.H. Fouler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  75. C.L. Anderson, C.R. Crowell, T.W. Kao. Sol. St. Electron., 18 (8), 705 (1975)
  76. W.W. Gartner. Phys. Rev., 116, 84 (1959)
  77. S.S. Li, F.A. Lindholm, C.T. Wang. J. Appl. Phys., 43, 4123 (1972)
  78. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  79. J.M. Caywood, C.A. Mead. Appl. Phys. Lett., 15, 14 (1969)
  80. M. Lavange, J.P. Pique, Y. Marfing. Sol. St. Electron., 20 (3), 235 (1969)
  81. A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965)
  82. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
  83. О.А. Мезрин, С.И. Трошков. ФТП, 22, 176 (1983)
  84. Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, О.А. Мезрин, С.И. Трошков. ФТП, 24, 1835 (1990)
  85. О.В. Константинов, О.А. Мезрин, Г.В. Царенков. ФТП, 22, 129 (1988)
  86. T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Abstract 13th Int. Conf. Sol. State Dosimetry (Athens, Greece, 2001)
  87. Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов. ЖЭТФ, 40, 936 (1961)
  88. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 421 (1995)
  89. Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, O.I. Obolensky, T.V. Petelina (Blank), E.A. Posse. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 455 (1999)
  90. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.О. Константинов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 27 (18), 43 (2001)
  91. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Энергоиздат, 1987)
  92. М.М. Аникин, В.В. Евстропов, Н.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  93. М.М. Аникин, В.В. Евстропов, Н.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  94. M. Razeghi, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 79, 7433 (1996)
  95. P.W. Kruse. Optical Infrared Detectors (Berlin, 1977)
  96. W. Dingfen, K. Heime. Electron. Lett., 18, 940 (1982)
  97. W. Dingfen, W. Dening, K. Heime. Sol. St. Electron., 29, 489 (1987)
  98. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
  99. A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  100. S.M. Cho, J.D. Lee, H.H. Lee. J. Appl. Phys., 70, 282 (1991)
  101. Noriaki Mochida, Tohru Honda, Tomoe Shirasawa, Akira Inoue, Takahiro Sakaguchi, Fumio Koyama, Kenichi Iga. J. Cryst. Growth, 189/190, 716 (1998)
  102. D. Qiao, L.S. Yu, L. Jia, P.M. Asbeck, S.S. Lau, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 992 (2002)
  103. Lu-Min Liu, G. Lindauer, W.B. Alexander, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2238 (1995)
  104. Y.X. Wang, P.H. Holloway. Vacuum, 43, 1149 (1992)
  105. J.J. Fijol, J.T. Trexler, L. Calhoun, R.M. Park, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 159 (1996)
  106. S. Miller, P.H. Holloway. J. Electron. Mater., 25, 1709 (1996)
  107. A. Durbha, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.W. Lee, P.H. Holloway, F. Ren. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 2582 (1996)
  108. T. Gessmann, Y.L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff, E.F. Schubert, J.K. Sheu. Appl. Phys. Lett., 80, 986 (2002)
  109. P.H. Holloway, T.J. Kim, J.T. Trexler, S. Miller, J.J. Fijot, W.U. Lampert, T.W. Haas. Appl. Surf. Sci., 117/118, 362 (1997)
  110. C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, S.J. Pearton, W.S. Hobson. Appl. Phys. Lett., 66, 1969 (1995)
  111. Ho Won Jang, W. Urbanek, M.C. Yoo, Jong-Lam Lee. Appl. Phys. Lett., 80, 2937 (2002)
  112. Joon Seop Kwak, Ok-Hyun Nam, Yongjo Park. Appl. Phys. Lett., 80, 3554 (2002)
  113. K.O. Schweitz, P.K. Wang, S.E. Mohney, D. Gotthold. Appl. Phys. Lett., 80, 1954 (2002)
  114. H. Morko c, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  115. M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 64, 1003 (1994)
  116. S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  117. Zhifang Fan, S. Noor Mohammad, Wook Kim, Ozgur Aktas, Andrei E. Botchkarev, Hadis Morko c. Appl. Phys. Lett., 68, 1672 (1996)
  118. E. Kaminska, A. Piotrowska et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 1077 (1998)
  119. A. Lunev, V. Chaturvedi, A. Chitmis, G. Simin, J. Yang, M.A. Khan. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 159
  120. J.B. Fedison, T.P. Chow, H. Lu, T.B. Bhat. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 463
  121. Ja-Soon Jang, Seong-Ju Park, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 76, 2898 (2000)
  122. D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. MRS Internet. J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G6, 49 (1999)
  123. J.S. Jang, H.G. Kim, K.H. Park, C.S. Um, I.K. Han, H.K. Jang, S.J. Part. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 1653 (1998)
  124. Jin-Kuo Ho, Charng-Shyang Jong, Chien C. Chiu, Chao-Nier Huang, Chin-Yuen Chen, Kwang-Kuo Shih. Appl. Phys. Lett., 74, 1275 (1999)
  125. D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. Appl. Phys. Lett., 74, 2480 (1999)
  126. Masaaki Suzuki, T. Arai, T. Kawakami, S. Kobayashi, S. Fujita, Yasuo Koide, Y. Taga, Masanori Murakami. J. Appl. Phys., 86, 5079 (1999)
  127. R.W. Chuang, A.Q. Zou, H.P. Lee. MRS Internet J. Nitride Semicong. Res., 4S1, G6, 42 (1999)
  128. Chen-Fu Chu, C.C. Yu, Y.K. Wang, J.Y. Tsai, F.I. Lai, S.C. Wang. Appl. Phys. Lett., 77, 3423 (2000)
  129. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988)
  130. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988)
  131. Yasuo Nannichi, Jia-Fa Fan, Haruhiro Oigawa, Atsushi Koma. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2367 (1988)
  132. Jia-Fa Fan, Haruhiro Oigawa, Yasuo Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2125 (1988)
  133. S. Logha, D.B. Janes, N.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 80, 4452 (2002)
  134. Ching-Ting Lee, Yow-Jon Lin, Day-Shan Liu. Appl. Phys. Lett., 79, 2573 (2001)
  135. June O. Song, Seong-Ju Park, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 80, 3129 (2002)
  136. G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonalds, R. Charmane. Abstract of E-MRS Spring Meeting, Symp. F: Amorph. Cryst SiC Mater. Appl. (2001) F7
  137. J. Massies, J. Chaplart, M. Lavirou, N.T. Linh. Appl. Phys. Lett., 38, 693 (1988)
  138. Yih-Cheng Shin, Masanori Murakami, E.L. Wilkie, A.C. Callegari. J. Appl. Phys., 62, 582 (1987)
  139. M. Otsubo, H. Kumabe, H. Miki. Sol. St. Electron., 20 (7), 617 (1977)
  140. A. Christou. Sol. St. Electron., 22, 141 (1979)
  141. C.L. Chen, L.J. Mahoney, M.C. Finn, R.C. Brooks, A. Chu, J.G. Mavroides. Appl. Phys. Lett., 48 (8), 535 (1986)
  142. Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28 (10), 1681 (1994)
  143. Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ФТП, 3 (11), 1718 (1969)
  144. Yih-Cheng Shih, Masanori Murakami, W.H. Price. J. Appl. Phys., 65 (9), 3539 (1989)
  145. C.-F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
  146. Sang Youn Han, Ki Honh Kim, Jong Kyu Kim, Ho Won Jang, Kwang Ho Lee, Nam-Kyun Kim, Eun Dong Kim, Jong-Lam Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
  147. Hidenori Shimawaki, Naoki Furuhata, Kasuhiko Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
  148. A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
  149. T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
  150. S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
  151. J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, C.T. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
  152. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.Е. Николаев, А.В. Фомин, А.Е. Черенков. ФТП, 35 (5), 550 (2001)
  153. T. Nacamura, M. Satoh. Abstracts Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) Technical Digest: Th-P-41, 631
  154. Е.И. Иванов, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.М. Шмидт. ФТП, 15, 1343 (1981)
  155. High Performance Silicon Photodiodes. Centronic Lim. Catalog (1995)
  156. Optoelectronics Data Book. EG and G Vactec Catalog (1991)
  157. Photodiodes. Hamamatsu Photonics Catalog (1995)
  158. Optoelectronics Data Book. Advanced Photonics Catalog (1995)
  159. R.W. Williams. J. Opt. Soc. Amer., 52, 1237 (1962)
  160. T.E. Hansen. Phys. Scr., 18, 471 (1978)
  161. W. Munch. Jap. J. Appl. Phys., 16 (Suppl.), 271 (1977)
  162. Ray Korde, Jon Geist. Appl. Optics, 26, 5248 (1987)
  163. Ray Korde, Jon Geist. Sol.-St. Electron., 30 (1), 89 (1987)
  164. L.R. Canfield, J. Kerner, R. Korde, J. Geist. Appl. Optics, 28, 3940 (1989)
  165. Ю.А. Гольдберг, В.В. Забродский, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина (Бланк), В.Л. Суханов. ФТП, 33, 344 (1999)
  166. Technology report. Laser Focus, 21, 256 (1985)
  167. E. Tegeler, N. Krumrey. Nucl. Instrum. Meth., A282, 701 (1989)
  168. N. Krumrey, E. Tegeler. Nucl. Instrum. Meth., A288, 714 (1990)
  169. N. Krumrey, E. Tegeler, J. Barth, M. Krisch, F. Schafers, R. Wolf. Appl. Optics, 27, 4336 (1988)
  170. M.V. Schneider. Bell Syst. Techn. J., 45, 1611 (1966)
  171. C.K. Chen, B. Nechay, B.Y. Tsaur. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1094 (1991)
  172. M.M. Blouke, M.W. Cowens, J.E. Hall, J.A. Westphal, A.B. Christensen. Appl. Optics, 19, 3318 (1980)
  173. G. Leveque, J. Peisner, Y. Sangare. Appl. Optics, 33, 1857 (1994)
  174. J.R. Janesick, K.P. Klaasen, T. Elliott. Opt. Eng. Bellingham, 26, 972 (1987)
  175. G. Naletto, E. Pace, G. Tondello, A. Boscolo. Meas. Sci. Technol., 5, 1491 (1994)
  176. A.D. Conder, J. Dunn, B.K.F. Young. Rev. Sci. Instrum., 66 (1), 709 (1995)
  177. P.F. Morrissey, S.R. McCandliss, P.D. Feldman, S.D. Friedman. Appl. Optics, 33 (13), 2535 (1994)
  178. Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ПТЭ, 19 (4), 212 (1976)
  179. M. Caria, L. Barberini, S. Cadeddu, A. Giannattasio, A. Rusani, A. Sesselego, A. Lai, S. D'Auria, F. Dubecky. Appl. Phys. Lett., 81, 1506 (2002)
  180. T.F. Deutsch, F.J. Leonberger, A.G. Foyt, D. Mills. Appl. Phys. Lett., 41, 403 (1982)
  181. A.D. Wilson, H. Lyall. Appl. Optics, 25, 4530 (1986)
  182. A.D. Wilson, H. Lyall. Appl. Optics, 25, 4540 (1986)
  183. Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Г.В. Гусев, В.И. Огурцов. ФТП, 8, 410 (1974)
  184. В.И. Стафеев, И.Д. Анисимова. ФТП, 28, 461 (1994)
  185. R.C. Hughes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson, R.M. Biefeld, R.J. Walko, M.A. Dvorack. J. Appl. Phys., 69, 6500 (1991)
  186. А.И. Малик, Т.Г. Грушка. ФТП, 25, 1691 (1991)
  187. Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ЖТФ, 66 (8), 195 (1996)
  188. А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15, 1122 (1981)
  189. А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15, 109 (1981)
  190. В.М. Андреев, В.С. Калиновский, В.Р. Ларионов, М.М. Миланова, К.Я. Расулов, В.Г. Румянцев, В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 16 (19), 56 (1990)
  191. Q. Chen, J.W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M.Z. Anwar, M.A. Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997)
  192. C. Carrano, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 70, 1992 (1997)
  193. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzman. Appl. Phys. Lett., 80, 347 (2002)
  194. E. Monroy, T. Palacios, O. Hainaut, F. Omn\`es, F. Calle, J.-F. Hochedez. Appl. Phys. Lett., 80, 3198 (2002)
  195. Shigeru Yagi. Appl. Phys. Lett., 76, 345 (2000)
  196. Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P. Chen, D.J. Xi, Z.Y. Luo, R. Zhang, B. Shen, Z.Z. Chen, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett., 77, 444 (2000)
  197. S.W. Seo, K.K. Lee, Sangbeom Kang, S. Huang, William A. Doolittle, N.M. Jokerst, A.S. Brown. Appl. Phys. Lett., 79, 1372 (2001)
  198. Ching-Wu Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1568 (2002)
  199. Necmi Biyikli, Tolga Kartaloglu, Orhau Aytur, Ibrahim Kimukin, Ekmel Ozbay. Appl. Phys. Lett., 79, 2838 (2001)
  200. V. Adivarahan, G. Simin, J.W. Yang, A. Lunev, M. Asif Khan, N. Pala, M. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 77, 863 (2000)
  201. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzman. Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001)
  202. P.W. Deelman, R.N. Bicknell-Tassius, S. Nikishin, V. Kuryatkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 78, 2172 (2001)
  203. J.M. Van Hove, R. Hickman, J.J. Klaassen, P.P. Chow, P.P. Ruden. Appl. Phys. Lett., 70, 2282 (1997)
  204. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M.A. Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 71, 2334 (1997)
  205. J.C. Carrano, D.J.H. Lambert, C.J. Eiting, C.J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A.L. Beck, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 76, 924 (2000)
  206. K.A. McIntosh, R.J. Molnar, L.J. Mahoney, K.M. Molvar, N. Efremow, Jr., S. Verghese. Appl. Phys. Lett., 76, 3938 (2000)
  207. M. Asif Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, J.M. Van Hove, M. Blasingame, F. Reitz. Appl. Phys. Lett., 60, 2917 (1992)
  208. D. Walker, X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, S. Javadpour, J. Xu, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 68, 2100 (1996)
  209. A. Misra, T.D. Moustakas, R.P. Vaudo, R. Singh, K.S. Shah. Proc. SPIE, 2519, 78 (1995)
  210. K.S. Stevens, M. Kinniburgh, A.F. Schwartzman, A. Ohtani, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3179 (1995)
  211. J.P. Basrur, F.S. Choa, P.-L. Liu, J. Sipior, G. Rao, G.M. Carter, Y.J. Chen. Appl. Phys. Lett., 71, 1385 (1997)
  212. J.A. Garrido, E. Monroy, I. Izpura, E. Munoz. Semicond. Sci. Technol., 13, 563 (1998)
  213. J.-F. Hochedez, J. Alvarez, F.D. Auret, P. Bergonzo, M.-C. Castex, A. Deneuville, J.M. Defise, B. Fleck, P. Gibart, S.A. Goodman, O. Hainaut, J.-P. Kleider, P. Lemaire, J. Manca, E. Monroy, E. Munoz, P. Muret, M. Nesladek, F. Omnes, E. Pace, J.L. Pau, V. Ralchenko, J. Roggen, U. Schuhle, C. Van Hoof. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 427 (2002)
  214. J.L. Pau, E. Monroy, F.B. Naranjo, E. Munoz, F. Calle, M.A. Sanchez-Garci a, E. Calleja. Appl. Phys. Lett., 76, 2785 (2000)
  215. E.J. Tarsa, P. Kozodoy, J. Ibbetson, B.P. Keller, G. Parish, U. Mishra. Appl. Phys. Lett., 77, 316 (2000)
  216. D. Walker, V. Kumar, K. Mi, P. Sandvik, P. Kung, X.H. Zhang, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 76, 403 (2000)
  217. E. Monroy, F. Calle, E. Munoz, F. Omn\`es, P. Gibart, J.A. Munoz. Appl. Phys. Lett., 73, 2146 (1998)
  218. V. Adivarahan, G. Simin, G. Tamulaitis, R. Srinivasan J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 79, 1903 (2001)
  219. A. Bouhdada, M. Hanzaz, P. Gibart, F. Omn\`es, E. Monroy, E. Munoz. J. Appl. Phys., 87, 8286 (2000)
  220. E. Monroy, F. Calle, J.L. Pau, F.J. Sanchez, E. Munoz, F. Omn\`es, B. Beaumont, P. Gibart. J. Appl. Phys., 88, 2081 (2000)
  221. S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur, R. Gaska, M.E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 79, 866 (2001)
  222. G.Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morko c, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, S. Krishnankutty. Appl. Phys. Lett., 71, 2154 (1997)
  223. C.J. Collins, T. Li, D.J.H. Lambert, M.M. Wong, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 77, 2810 (2000)
  224. D.J.H. Lambert, M.M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H.K. Kwon, B.S. Shelton, T.G. Zhu, J.C. Campbell, R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 77, 1900 (2000)
  225. C.J. Collins, U. Chowdhury, M.M. Wong, B. Yang, A.L. Beck, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 80, 3754 (2002)
  226. V.V. Kuryatkov, H. Temkin, J.C. Campbell, R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 78, 3340 (2001)
  227. H. Morkoc, A. Di Carlo, R. Cingolani. Sol. St. Electron., 46, 157 (2002)
  228. Technical perort. III-V Review, 15 (7), 14 (2002)
  229. Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 26, 1008 (1992)
  230. SiC UV Detectors, Laser Components Catalog (Boston Electronics Corp., 1996)
  231. M.M. Anikin, A.N. Andreev, S.N. Pyatko, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Sensors Actuators, A33, 91 (1992)
  232. C. Frojdn, G. Thungstrom, H.E. Nilsson, C.S. Petersson. Phys. Scr., 54, 169 (1994)
  233. V.I. Sankin, Chelibanov. Phys. St. Sol., 185 (1), 153 (2001)
  234. А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 245 (2000)
  235. G. Violina, A. Andreev, E. Violin. Second Europ. Conf. on High Temperature Electronics --- HITEC (1996) p. 195
  236. D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, G. Michon, E. Shu. Second Europ. Conf. on High Temperature Electronics --- HITEC (1996) p. 23
  237. D.M. Brown, E.T. Downey, M. Chezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993)
  238. J. Edmond, H. Kong, A. Suvorov, D. Waltz, C. Carter. Phys. St. Sol. (a), 162, 481 (1997)
  239. J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physics B, 185, 453 (1997)
  240. Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36, 746 (2002)
  241. Д.М. Аксененко, М.Л. Бараночников. Справочник по оптическим детекторам излучения (М., Радио и связь, 1987)
  242. С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001)
  243. A. Gerhard, J. Nurnberg, K. Schull, V. Hock, G. Schumaher, M. Ehinger, W. Faschinger. J. Cryst. Growth, 184/185, 1319 (1998)
  244. H. Hong, W.A. Anderson. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1127 (1999)
  245. F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Electron. Lett., 36 (4), 352 (2000)
  246. F. Vigue, P. de Mierry, J.-P. Faurie, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. Electron. Lett., 36 (9), 826 (2000)
  247. E. Monroy, F. Vigue, F. Calle, J.I. Izpura, E. Munoz, J.-P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 77, 2761 (2000)
  248. F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. Appl. Phys. Lett., 78, 4190 (2001)
  249. A. Siess, G. Reuscher, P. Grabs, H.-S. Lugauier, T. Schallenberg, M. Ehinger, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 201/202, 965 (1999)
  250. F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 76, 242 (2000)
  251. Hitoshi Ishikura, Tomoki Abe, Nariyuki Fukuda, Hirofumi Kasada, Koshi Ando. Appl. Phys. Lett., 76, 1069 (2000)
  252. Z.H. Ma, I.K. Sou, K.S. Wong, Z. Yang, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 73, 2251 (1998)
  253. I.K. Sou, Z.H. Ma, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 75, 3707 (1999)
  254. I.K. Sou, Z.H. Ma, Z.Q. Zhang, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 76, 1098 (2000)
  255. A. Zeuner, H. Alves, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, M. Heuken, J. Blasing, A. Krost. Appl. Phys. Lett., 80, 2078 (2002)
  256. H. Fabricius, T. Skettrup, P. Bisgaard. Appl. Optics, 25, 2764 (1986)
  257. Y. Liu, C.R. Gorla, S. Liang, N. Ewanetoglu, Y. Lu, H. Chen, M. Wraback. J. Electron. Mater., 29, 69 (2000)
  258. W. Yang, R.D. Vispute, S. Choopun, R.P. Sharma, T. Venkatesan, H. Shen. Appl. Phys. Lett., 78, 2787 (2001)
  259. P. Sharma, A. Mansingh, K. Sreenivas. Appl. Phys. Lett., 80, 553 (2002)
  260. K. Keis, E. Magnusson, H. Lindstom, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 73 (1), 51 (2002)
  261. Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, W. Fuhs, A. Froitzheim. ФТП, 36, 1128 (2002)
  262. M.D. Whitfield, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys. Lett., 68, 290 (1996)
  263. F. Foulon, P. Bergonzo, C. Borel, R.D. Marshall, C. Jany, L. Besombes, A. Brambilla, D. Riedel, L. Museur, M.C. Castex, A. Gicquel. J. Appl. Phys., 84, 5331 (1998)
  264. G. Popovici, A. Melnikov, V.V. Varichenko, T. Sung, M.A. Prelas, R.G. Wilson, S.K. Loyalka. J. Appl. Phys., 81, 2429 (1997)
  265. Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Masataka Hasegawa, Hisao Kanda. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 307 (2002)
  266. R.D. McKeag, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys. Lett., 67, 2117 (1995)
  267. S. Salvatori, A. Della Scala, M.C. Rossi, G. Conte. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 458 (2002)
  268. L. Thaiyotin, E. Ratanaudompisut, T. Phetchakul, S. Cheirsirikul, S. Supadech. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 442 (2002)
  269. S.P. Lansley, O. Gaudin, Haitao Ye, N. Rizvi, M.D. Whitfield, R.D. McKeag, R.B. Jackman. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 433 (2002)
  270. T.V. Semikina, A.N. Shmyryeva. Diamond Relat. Mater., 11 (7), 1329 (2002)
  271. S. Noguchi, H. Kuriyama, T. Matsuyama, H. Tarui. Sanyo Techn. Rev., 23, 70 (1991)
  272. P. Mandracci, M.L. Rastello, P. Rava, F. Guiliani, F. Giorgis. Thin Sol. Films, 337, 232 (1999)
  273. Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков, М.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, И.В. Шведков. ФТП, 25, 1350 (1991)
  274. Marko Topiv c, Helmut Stiebig, Mathias Krause, Heribert Wagner. Appl. Phys. Lett., 78, 2387 (2001)
  275. G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, M. Tucci, E. Jannitti, G. Naletto, P. Nicolosi. Appl. Phys. Lett., 67, 335 (1995)
  276. В.В. Соболев, А.И. Колугин. ФТП, 36, 155 (2002)
  277. Alan Mills. III-V Review, 15 (2), 36 (2002)
  278. B. Chu, D. Fan, W.L. Li, Z.R. Hong, R.G. Li. Appl. Phys. Lett., 81, 10 (2002)
  279. Peigen Ni, Bingying Cheng, Daozhong Zhang. Appl. Phys. Lett., 80, 1879 (2002)
  280. Hidenori Hiramatsu, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Orita, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Appl. Phys. Lett., 81, 598 (2002)
  281. Samson A. Jenekhe, Shujian Yi. Appl. Phys. Lett., 77, 2635 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme