Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами (1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки и ионно-легированных алюминием p+-1pt-n-n+-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов в эпитаксиальном слое при температурах до 700 K. После облучения образцов нейтронами с флюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре 650 K диодные характеристики облученных p+-1pt-n-n+-1pt-структур частично восстанавливались.
Ю.Н. Николаев. Электрон. техн., 3, 54 (1966)
В.В. Макаров. ФТТ, 13 (8), 2357 (1971)
А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18 (11), 2153 (1984). [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1256 (1984)]
V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
А.Ю. Никифоров, П.К. Скоробогатов, Ю.И. Сыцько. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 147
L.W. Aukerman, H.C. Garton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959) c. 388
E.W.J. Mitchell, M.J. Moore. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965) c. 235
C.E. Barnes. Appl. Phys. Lett., 20, 86 (1972)
И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, 4 (147), 9 (1981)
В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30 (1), 112 (1996). [Semiconductors, 30 (1), 52 (1996)]
А.Ю. Никифоров, В.В. Лучинин, В.С. Фигуров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-98" (М., СПЭЛС--НИИП, 1998) т. 1, с. 127
S. Seshadri, A.R. Dulloo, F.H. Ruddy, J.G. Seide, L.B. Rowland. IEEE Trans. ED, 46 (3), 567 (1999)
А.Ю. Никифоров, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Петров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001" (М., Паимс, 2001) т. 4, с. 145
А.Ю. Никифоров, П.А. Иванов, В.В. Лучинин. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 167
E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Adas, S. Randakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.А. Петров. Петербургский журн. электроники, 3-- 4, 12 (2000)