Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до 88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали 2, 5 и 10 слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.
D. Bimgerg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
N.N. Ledentsov. IEEE Select. Top. Quant. Electron., 8 (5), 1015 (2002)
O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, Q. Mo, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 12 (9), 1120 (2000)
G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36 (11), 1272 (2000)
O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38 (14), 712 (2002)
С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лавшиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002).
A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernaykov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000)
А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997)
O. Shchekin, G. Park, D. Huffaker, D. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2002)
L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
M. Sugawara, K. Mukai, Y. Nakata, H. Ishikawa, A. Sakamoto. Phys. Rev. B, 61, 7595 (2000)
L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 36 (10), 1151 (2000)
M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyankov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Aflerov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).