"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Медведева Н.И.1, Юрьева Э.И.1, Ивановский А.Л.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов ( M= Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C).
  • S.A. Reshanov. Diamond. Relat. Mater., 9, 480 (2000)
  • R. Alexandrescu, E. Borsella, S. Botti, M. Cesile, S. Martelli, R. Giorgi, S. Turtu, G. Zappa. J. Mater. Sci., 32, 5629 (1997)
  • Y.T. Pei, J.H. Ouyang, T.C. Lei, Y. Zhou. Mater. Sci. Eng. A: Struct. Mater. Prop. Microstruct. Processing, 194, 219 (1995)
  • Y.Q. Zhu, W.B. Hu, W.K. Hsu, M. Terrones, N. Grobert, J.P. Hare, H.W. Kroto, D.R.M. Walton, H. Terrones. J. Mater. Chem., 9, 3173 (1999)
  • N.T. Son, A. Ellison, B. Magnusson, M.F. MacMillan, W.M. Chen, B. Monemar, E. Janzen. J. Appl. Phys., 86, 4348 (1999)
  • N. Theodoropoulou, A.F. Hebart, S.N.G. Chu, M.E. Oveberg, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.G. Wilson, J.M. Zavaga. Electrochem. Sol. St. Lett., 4, G119 (2001)
  • Р.Ф. Сабирянов, А.Л. Ивановский, Г.П. Швейкин. Журн. неорган. химии, 38, 1572 (1993)
  • H. Overhof. Mater. Sci. Forum, 258, 677 (1997)
  • K.O. Barbosa, W.V.M. Machado, L.V.C. Assali. Physica B, 308--310, 726 (2001)
  • Н.И. Медведева, Ж.И. Гертнер, В.В. Красковская, В.М. Жуковский, А.Л. Ивановский, Г.П. Швейкин. Неорг. матер., 31, 55 (1995)
  • V.A. Gubanov, C. Boekema, C.Y. Fong. Appl. Phys. Lett., 78, 216 (2001)
  • Н.И. Медведева, Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. ФТП, 36, 805 (2002)
  • Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. ЖСХ, 43, 220 (2002)
  • M. Methfessel, M. Scheffler. Physica B, 172, 175 (1991)
  • S.H. Vosko, L. Wilk, M. Nusair. Canadian J. Phys., 58, 1200 (1980)
  • W.B. Pearson Crystal Chemistry and Physics of Metals and Alloys (Wiley, 1972)
  • A.R. Lubinsky, D.E. Ellis, G.S. Painter. Phys. Rev. B, 11, 1537 (1975)
  • K.J. Chang, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 35, 8196 (1987)
  • M. Causa, R. Dovesi, C. Roetti. Phys. Rev. B, 43, 937 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.