"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективная масса электронов в MnxHg1-xTe
Несмелова И.М.1
1НПО Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы спектры отражения монокристаллов и эпитаксиальных слоев n-MnxHg1-xTe при 300 K. Определены экспериментальные значения эффективной массы электронов для образцов с x=0.06-0.10 и концентрацией электронов N>6·1016 см-3. Рассчитанные значения электронной эффективной массы близки к экспериментальным.
  • A. Rogalski. Infr. Phys., 31 (2), 117 (1991)
  • И.М. Несмелова, И.М. Лаврентьева, Н.С. Барышев, Н.П. Цицина. ЖПС, 63 (3), 510 (1996)
  • A. Rogalski, K. Jozwikowski. Phys. St. Sol. (a), 122 (1), K39 (1990)
  • О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 26 (3), 463 (1992)
  • И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.