Методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии получены пленки GaN толщиной 0.1 мкм на пористых подложках GaAs(111). При температуре 4.2 K в спектре фотолюминесценции доминируют экситонные полосы люминесценции. На основе анализа энергетического положения максимума экситонных полос сделан вывод о наличии механичеcких напряжений в полученных пленках GaN.
S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier. Appl. Phys. Lett., 72, 1326 (1998)
B. Monemar. Phys. Rev. B, 52, R17028 (1974)
В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, Л.С. Лепнев. Неорг. матер., 37 (11), 1287 (2001)
Т.В. Бумхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Заде-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордова. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
А.Н. Грузинцев, У. Кайзер, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 37 (6), 704 (2001)
B. Monemar, W.M. Chen, P.P. Paskov, T. Paskova, G. Rozina, J.P. Bergman. Phys. St. Sol. (b), 2, 489 (2001)
H. Teisseyre, G. Nowak, M. Leszczynski, I. Grzegory, M. Bockowski, S. Krukowski, S. Porowski, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, G. Karczewski. MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res., 1, 13 (1996)
V.V. Kidalov, G.A. Sukach, A.O. Petukhov, A.S. Revenko, E.P. Potapenko. Proc. Int. Conf. on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter ICL'02 (Budapest, Hungary, Aug. 24--29, 2002) p. 116
М.Б. Котляревский, Г.А. Сукач, В.В. Кидалов, А.С. Ревенко. ЖПС, 69 (2), 234 (2002)