"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования
Тетельбаум Д.И.1, Ежевский А.А.1, Михайлов А.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Подробно исследованы зависимости от дозы концентрации парамагнитных центров с g=2.0055 при облучении кремния ионами Ge+, Ar+ и Ne+. Показано, что во всех случаях зависимости характеризуются (ранее не замеченным) наличием максимумов при дозах, соответствующих переходу к полной аморфизации. Эта особенность объяснена на основе модели, предполагающей дополнительный вклад в электронный парамагнитный резонанс от оборванных связей, расположенных на границе раздела нанокристаллов с аморфной матрицей.
  • Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 419. [Пер. с англ.: Amorphous semiconductors, ed. by M.H. Brodsky (Berlin--Heldelberg--N. Y., Springer Verlag, 1979)]
  • Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП, 6 (6), 1111 (1972)
  • Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977) с. 256
  • С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев, С.Е. Акис, А.Х. Мухаматуллин, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова. Вестн. НГГУ. Сер. Физика твердого тела, 2 (5), 37 (2001)
  • D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova. Mater. Sci. Eng. B (2003). (Принято к печати)
  • Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупровoдников (М., Энергия, 1975)
  • Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983). [Пер. с англ.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionen implantation, ed. by B.G. Teubner (Stuttgard, 1978) p. 304]
  • Дж.Ф. Гиббонс. Тр. ин-та инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, 60 (9), 53 (1972)
  • Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, Е.А. Питиримова, А.В. Питиримов. Поверхность, 5, 34 (1988)
  • Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, А.В. Питиримов. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (11), 2168 (2000)
  • А.В. Питиримов, Е.А. Питиримова, Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. Поверхность, 5--6, 11 (1999)
  • D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, Z.F. Krasil'nik, D.M. Gaponova, A.N. Mikhailov. Opt. Mater., 17 (1--2), 57 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.