"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe
Бирюлин В.П.1, Дудко С.А.1, Коновалов С.А.1, Пелевин Ю.А.1, Туринов В.И.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

При исследовании границы раздела ZnS-CdxHg1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n+-p-переходов на p-CdxHg1-xTe была получена плотность состояний в пределах Ns-0.2pts=(1-6)· 1011 см-2эВ-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n+-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон VFB указывают (даже если первоначально после нанесения пленки ZnS было VFB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до ~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n+-p-переходов с защитной пленкой ZnS не деградировали дифференциальное сопротивление Rd, токовая чувствительность Si и обнаружительная способность D*.
  • B.K. Janousek, R.C. Carscallen, P.A. Bertran. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1723 (1983)
  • J.A. Wilson, V.A. Cotton. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 199 (1985)
  • Y. Nemirovsky, L. Burstein, I. Kidron. J. Appl. Phys., 58, 366 (1985)
  • Y. Nemirovsky, R. Adar, A. Kornfeld, I. Kidron. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 1986 (1986)
  • N. Kajihara, G. Sudo, Y. Miyamoto, K. Tanikawa. J. Electrochem. Soc., 135, 1252 (1988)
  • Y. Nemirovsky, G. Bahir. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 450 (1989)
  • M.V. Whelan. Phil. Res. Rep., 20, 620 (1965)
  • D.L. Carter, M.A. Kinch, D.D. Buss. J. Phys. Chem. Sol., Suppl 1, 32, 273 (1971)
  • A. Campbell, C. Hayman. Proc. SPIE, 915, 79 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.