Методами дифракции быстрых электронов на отражение, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции исследовались гетероструктуры с квантовыми точками и квантовыми ямами In(Ga)As / GaAs, выращенные при низкой температуре подложки. Показано, что осажденный при низкой температуре на поверхность GaAs (100) арсенид индия формирует двумерные кластеры, состоящие из отдельных квантовых точек. В оптических спектрах структур, содержащих подобные кластеры, возникает излучение в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм.
N.M. Margalit, Sh.Z. Zhang, J.E. Bowers. IEEE Topics in Lightwave, 5, 164 (1997)
Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33 (5), 629 (1999)
Y.F. Li, X.L. Ye, B. Xu, F.Q. Liu, D. Ding, W.H. Jiang, Z.Z. Sun, Y.C. Zhang, H.Y. Liu, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 218, 451 (2000)
J.C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E.V.K. Rao, Saint-Girons, R. Teissier, Le Roux, L. Largeau, G. Patriarche. J. Cryst. Growth, 227--228, 553 (2001)
H. Shen, J. Pamulapati, M. Taysing, M.C. Wood, R.T. Lareau, M.H. Ervin, J.D. Mackenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, J.M. Zavada. Sol. St. Electron., 43, 1231 (1999)
С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29 (10), 77 (2003)
В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (22), 82 (2002)
M. Sopanen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 994 (2000).
L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. In: Proc. Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range (2003) p. 49
M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 75 (16), 2347 (1999)
А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), 51 (2001)
А.А. Тонких, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (10), 72 (2002)
M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, Y.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
I. Hapke-Wurst, U. Zeitler, H.W. Schumacher, R.J. Haug, K. Pierz, F.J. Ahlers. Semicond. Sci. Technol., 14, L41 (1999)
Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Ж.Е. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (7), 120 (2003).