"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция при комнатной температуре в диапазоне 1.5-1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs, выращенных при низкой температуре подложки
Тонких А.А.1,2, Цырлин Г.Э.1,2, Талалаев В.Г.3,2, Новиков Б.В.3, Егоров В.А.1,2, Поляков Н.К.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Устинов В.М.1, Zakharov N.D.4, Werner P.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle Weinberg 2, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 23 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции исследовались гетероструктуры с квантовыми точками и квантовыми ямами In(Ga)As / GaAs, выращенные при низкой температуре подложки. Показано, что осажденный при низкой температуре на поверхность GaAs (100) арсенид индия формирует двумерные кластеры, состоящие из отдельных квантовых точек. В оптических спектрах структур, содержащих подобные кластеры, возникает излучение в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм.
  • N.M. Margalit, Sh.Z. Zhang, J.E. Bowers. IEEE Topics in Lightwave, 5, 164 (1997)
  • Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33 (5), 629 (1999)
  • Y.F. Li, X.L. Ye, B. Xu, F.Q. Liu, D. Ding, W.H. Jiang, Z.Z. Sun, Y.C. Zhang, H.Y. Liu, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 218, 451 (2000)
  • J.C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E.V.K. Rao, Saint-Girons, R. Teissier, Le Roux, L. Largeau, G. Patriarche. J. Cryst. Growth, 227--228, 553 (2001)
  • H. Shen, J. Pamulapati, M. Taysing, M.C. Wood, R.T. Lareau, M.H. Ervin, J.D. Mackenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, J.M. Zavada. Sol. St. Electron., 43, 1231 (1999)
  • С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  • В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29 (10), 77 (2003)
  • В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (22), 82 (2002)
  • M. Sopanen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 994 (2000).
  • L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. In: Proc. Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range (2003) p. 49
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 75 (16), 2347 (1999)
  • А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), 51 (2001)
  • А.А. Тонких, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (10), 72 (2002)
  • M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, Y.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  • I. Hapke-Wurst, U. Zeitler, H.W. Schumacher, R.J. Haug, K. Pierz, F.J. Ahlers. Semicond. Sci. Technol., 14, L41 (1999)
  • Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Ж.Е. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (7), 120 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.