"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов
Гребенщикова Е.А.1, Именков А.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Данилова Т.Н.1, Черняев А.В.1, Власенко Н.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с 6 до 10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, Л.Т. Чучуа. Письма ЖТФ, 21 (23), 1066 (1976)
  • I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993)
  • R. Windishc, P. Heremans, P. Kiessel, G.H. Doller, B. Dutta, G. Dorhs. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2256 (1999)
  • А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15 (18), 71 (1989)
  • А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (10), 1708 (1990)
  • Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.П. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 239 (1999)
  • Б. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов, Н. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (5), 1 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.