"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние фуллерена на фотолюминесценцию пористого кремния
Сресели О.М.1, Горячев Д.Н.1, Беляков Л.В.1, Вуль С.П.1, Захарова И.Б.2, Алексеева Е.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследовалось взаимодействие матрицы кремниевых нанокристаллитов (слой пористого кремния) с внедренными молекулами фуллерена C60. Изучалась деградация фуллеренсодержащих слоев под действием сильно поглощаемого лазерного света. Показано, что слои демонстрируют максимальную стабильность после высокотемпературного отжига в атмосфере водорода. В этом случае спектры фотолюминесценции практически не меняются при хранении на воздухе и под интенсивным лазерным облучением. Обсуждаются возможные механизмы исследованных явлений.
  • M.Y. Ghannam, A.A. Abouelsaood, J.F. Nijs. Solar Energy Materials \& Solar Cells, 60, 105 (2000)
  • C. Baratto, G. Faglia, E. Comini, G. Sberveglieri, A. Taroni, V. La Ferrara, L. Quercia, G. Di Francia. Sensors and Actuators B: Chemical, 77 (1--2), 62 (2001)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 909 (1997)
  • L. Moro, A. Paul, D.C. Lorents, R. Malhotra, R.S. Ruoff, P. Lazzeri, L. Vanzetti, A. Lui, S. Subramoney. J. Appl. Phys., 81, 6141 (1997)
  • Т.Л. Макарова, И.Б. Захарова, Т.И. Зубкова, А.Я. Вуль. ФТТ, 41, 354 (1999)
  • О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, В.Ю. Осипов, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров, А.Я. Вуль. ФТП, 36 (5), 604 (2002)
  • M. De Seta, D. Sanvitto, F. Evangelisti. Phys. Rev. B, 59 (15), 9878 (1999)
  • I.M. Chang, S.C. Pan, Y.F. Chen. Phys. Rev. B, 48, 8747 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.