"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения
Куликов В.Б.1, Аветисян Г.Х.1, Василевская Л.М.1, Залевский И.Д.2, Будкин И.В.2, Падалица А.А.2
1ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.
  • A. Brandel, A. Fraenkel, E. Finkman, G. Bahir, G. Livescu. Semicond. Sci. Technol., 8, S412 (1993)
  • Y. Zhang, N. Baruh, W.I. Wang. Electron. Lett., 29 (2), 213 (1993)
  • W.E. Hagston, T. Stirner, F. Rasul. J. Appl. Phys., 89 (2), 1087 (2001)
  • D.G. Deppe, N. Holonyak. J. Appl. Phys., 64 (12), R93 (1988)
  • A.Я. Шик. ФТП, 20 (9), 1598 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.