"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Виталий Иванович Стафеев (к семидесятипятилетию со дня рождения )
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
1 января 2004 г. исполнилось 75 лет со дня рождения и 50 лет научной, преподавательской и организационной деятельности известного ученого, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники РФ, лауреата Государственных премий СССР и Государственной премии РФ Виталия Ивановича Стафеева. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие физики полупроводников, полупроводниковой электроники, микро- и фотоэлектроники. В. И. Стафеев родился 1 января 1929 г.. После окончания в 1952 г. физико-математического факультета Казахского государственного университета г. Алма-Ата он был распределен в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Академии наук СССР, где проработал до 1964 г. В 1964 г.. В. И. Стафеев был назначен директором Научно-исследовательского института (НИИ) физических проблем. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики (ныне Государственный научный центр "НПО Орион"), где и работает по настоящее время. В. И. Стафеев --- глава научной школы. Среди его учеников более 20 докторов и несколько десятков кандидатов наук. Он автор более 10 монографий и нескольких сотен научных статей и изобретений. Среди наиболее важных работ: - теоретические и экспериментальные исследования "длинных" диодов, приведшие к открытию механизмов внутреннего усиления сигналов и к созданию получивших мировое признание новых приборов --- магнитодиодов, инжекционных фотоприемников, S-диодов и др.; - исследования свойств "горячих носителей" в полупроводниках, приведшие к созданию лазеров дальнего инфракрасного диапазона спектра и быстродействующих модуляторов инфракрасного излучения; - разработка и исследование фотоприемников, в том числе инжекционных фотодиодов ультрафиолетового диапазона спектра на основе соединений AIIIBV; - разработка и исследование полупроводниковых аналогов нейронов, схемо- и системотехники на их основе, проведенные раньше зарубежных работ по нейронным сетям; - исследование молекулярных пленок (пленок Лэнгмюра) и возможности создания на их базе микроэлектронных приборов; - исследования в области фазовых переходов, зародышей конденсированных фаз, в том числе биологических; - предсказание и открытие нового физического явления --- инжекционного переноса тепла в структурах с p-n-переходами, его использование для нового класса полупроводниковых охлаждающих устройств; - организация разработок и исследований узкозонных полупроводников в СССР: проведение научно-исследовательских работ и осуществление опытно-конструкторских разработок, организация всесоюзных симпозиумов, семинаров и школ, создание филиала НИИ прикладной физики в г. Баку (ныне Институт фотоэлектроники). Государственными премиями отмечены работы В. И. Стафеева: - Разработка технологии и организация производства нового для микрофотоэлектроники полупроводникового материала CdHgTe и на его основе фотопремников, в том числе матричных, на область спектра 3-5 и 8-12 мкм для современных систем тепловидения (2000 г.). - Разработка научных основ, технологии и организация серийного производства магниточувствительных сенсоров (1982 г.). - Обнаружение и исследование нового класса материалов --- бесщелевых полупроводников (1976 г.). В. И. Стафеев за работы для первой атомной подводной лодки (1958-1959 г.г.), положившие начало силовой полупроводниковой техники в СССР, награжден медалью "За трудовую доблесть". В. И. Стафеев "за выдающиеся достижения в области прикладной физической оптики" награжден медалью А. А. Лебедева. В. И. Стафеев внес большой вклад в создание Научного центра микроэлектроники (г. Зеленоград); он --- организатор и первый директор НИИ физических проблем, председатель Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатор издания научно-технического сборника "Микроэлектроника", организатор и главный редактор 22-й серии журнала "Вопросы оборонной техники" "Микроэлектроника", организатор и заведующий базовой кафедрой микроэлектроники Московского физико-технического института, председатель секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. В. И. Стафеев входил в состав экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР, экспертного совета Высшей аттестационной комиссии, редакционных коллекий журналов "Физика и техника полупроводников", "Радиотехника и электроника ". Академик     Ж. И. Алфёров Профессор      Л. Е. Воробьев Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  • F. Capasso, A. Tredicucci, C. Gmachl, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, G. Scamarcio. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5 (3), 792 (1999)
  • M. Rochat, L. Ajili, H. Willenberg, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81 (8), 1381 (2002)
  • A. Andronov, E. Gornik. Opt. Quant. Electron., 23 (2) (1991)
  • И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ф.А. Смирнов. ЖЭТФ, 74, 404 (1992)
  • A.A. Belyanin, F. Capasso, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky, M.O. Scully. Phys. Rev. A, 63 (5), 053 803 (2001)
  • В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.Б. Звонков. ФТП, 35 (10), 1256 (2001)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1989) гл. 10, с. 425
  • J.S. Blackmore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  • H.R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 21, 1511 (1980)
  • W. Songprakob, R. Zallen, W.K. Liu, K.L. Bacher. Phys. Rev. B, 62 (7), 4501 (2000)
  • A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.