Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 9 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb0.94Ge0.06Te(Ga) исследован в диапазоне частот от 102 до 106 Гц при температурах от 4.2 до 300 K. Показано, что эффекты, связанные с долговременными релаксационными процессами, не являются следствием сегнетоэлектрического фазового перехода, поскольку наблюдаются при существенно более низких температурах. Низкотемпературные особенности поведения емкости в Pb0.94Ge0.06Te(Ga) рассматриваются как вклад примесной подсистемы.
- Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
- Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 355 (1993)
- E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, L.A. Skipetrova, V.V. Belousov, A.M. Musaitin. J. Cryst. Growth, 210, 292 (2000)
- E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, V.V. Belousov, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko. Phys. St. Sol. ( b), 221, 549 (2000)
- E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, O.S. Volkova, E.I. Slynko, A.M. Musaitin. Mater. Sci. Eng., B91-- 92, 416 (2002)
- А.И. Лебедев, Х.А. Абдуллин. ФТП, 18, 624 (1984)
- J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
- Е.П. Скипетров, А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, Л.И. Рябова, В.И. Сидоров. ФТП, 28, 1626 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
