Влияние композиционной и позиционной неупорядоченностей в расположении атомов в кристаллической решетке на электронные свойства твердых растворов III-нитридов структуры вюрцита исследовано методом модельного эмпирического псевдопотенциала с использованием 32-атомных суперячеек. Рассчитанные значения коэффициента прогиба композиционных зависимостей ширины запрещенной зоны равны 0.44, 2.72, 4.16 для AlGaN, InGaN и InAlN соответственно. Показано, что наибольший вклад в коэффициент прогиба дает композиционная неупорядоченность, а релаксация длин связей уменьшает влияние композиционной неупорядоченности и эффектов деформации объема.
S. Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (London, Taylor \& Francis, 2000)
M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, G. Ghione, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 88 (11), 6467 (2000)
Z. Dridi, B. Bouhafs, P. Ruterana. Phys. St. Sol. (c), 0 (1), 315 (2002)
L.K. Teles, L.M.R. Scolfaro, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J.R. Leite. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 956 (2002)
В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов. ФТП, 34 (1), 35 (2000)
M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi, S. Laugt, M. Passerel, F. Omnes, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 887 (2002)
V. Davydov, A. Klochikhin, V. Emtsev, D. Kurdyukov, S. Ivanov, V. Vekshin, F. Bechstedt, F. Furtmuller, J. Aderhold, J. Graul, A. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E. Haller. Phys. St. Sol. (b), 234 (3), 787 (2002)
S. Stepanov, W.N. Wang, B. Yavich, V. Bougrov, Y. Rebane, Y. Shreter. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 6 (2001)
K.P. O'Donnel, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys.: Condens. Matter. 13, 6977 (2001)
M.J. Lukitsch, Y.V. Danylyuk, V.M. Naik, C. Huang, G.W. Auner, L. Rimai, R. Naik. Appl. Phys. Lett., 79, 632 (2001)
T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J.O. Olowafe, K.M. Unruh, C.P. Swann, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 71, 234 (1997)
S. Pugh, D. Dugdale, S. Brand, R. Abram. Semicond. Sci. Technol., 14 (1), 23 (1999)
Y. Yeo, T. Chong, M. Li. J. Appl. Phys., 83 (3), 1429 (1998)
M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, C. Garetto, G. Ghione, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 88 (11), 6476 (2000)
A. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen, E.L. Shirley, S.G. Louie. Phys. Rev. B, 48 (16), 11 810 (1993)
R. Haydoc, W. Heine, M.J. Kelly. J. Phys. C, 15 (13), 2891 (1982)
A. Zaoui. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 4025 (2002)
G. Srivastava, J. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31 (4), 2561 (1985)
F. Grosse, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 63, 085 207 (2001)
P.R.C. Kent, L. Bellaiche, A. Zunger. Semicond. Sci. Technol., 17 (6), 851 (2002)
T. Matilla, L.-W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 59, 15 270 (1999)
C. Pryor, J. Kim, L.W. Wang, A.J. Williamson, A. Zunger. Phys. Rev. B, 83 (5), 2548 (1998)
В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов, А.М. Слетов. ФТП, 36 (4), 398 (2002)
D.R. Hamman. Phys. Rev. B, 40 (5), 2980 (1989)
Z.H. Levine, S.G. Louie. Phys. Rev. B, 25 (10), 6310 (1982)
W.R.L. Lambrecht, M. Prikhodko. Sol. St. Commun., 121, 549 (2002)
I. Vurgaftman, J. Meyer. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 30 (10), 6217 (1984)
A. Garcia, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 47 (8), 4215 (1992)
O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 3399 (2002)
J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 80 (25), (2002)
A. Wall, Y. Gao, A. Raisanen, A. Franciosi, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 43 (6), 4988 (1991)