Методом термического окисления на воздухе кристаллов моноселенида индия изготовлены гетероструктуры собственный окисел-p-InSe. Долговременное (на протяжении 1-5 суток) окисление подложек InSe при 450^oC приводит к изменению как спектральной полосы фоточувствительности, так и фотоэлектрических параметров гетероструктур по сравнению с образцами, окисленными 5-15 мин. Эти изменения есть следствие послойного образования дополнительных фаз окислов на поверхности полупроводника. Для наилучших гетероструктур напряжение холостого хода достигает 0.6 В, а ток короткого замыкания - 30-35 мА/см² в режиме насыщения. Электрические характеристики гетероструктур искажены влиянием последовательного сопротивления, что затрудняет определение высоты потенциального барьера и механизма протекания тока через него.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.