"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs
Карпович И.А.1, Звонков Б.Н.1, Левичев С.Б.1, Байдусь Н.В.1, Тихов С.В.1, Филатов Д.О.1, Горшков А.П.1, Ермаков С.Ю.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Показано, что в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении, можно управлять энергией основного перехода в квантовых точках в области, перекрывающей оба окна прозрачности оптического волокна на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм, путем изменения толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InxGa1-xAs. В этих структурах имеет место также красное смещение энергии основного перехода в квантовой яме InxGa1-xAs в результате образования гибридной квантовой ямы InxGa1-xAs/InAs (смачивающий слой) между квантовыми точками. В диодах Шоттки на таких структурах обнаружено увеличение обратного тока, связанное с термоактивированным туннелированием электронов из металла на уровни квантовых точек.
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • M. Grundmann. Physika, E 5, 167 (2000)
  • K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999)
  • Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33, 990 (1999)
  • А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, Д.А. Бедарев, Ю.М. Шерняков, Е.Ю. Кондратьева, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 33, 1020 (1999)
  • V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 2815 (1999)
  • J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 78, 3469 (2001)
  • И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин. Поверхность, N 11, 27 (2000)
  • B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, Yu.Yu. Gushina, S.V. Morozov, S.B. Levichev. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. by N. Miura, T. Ando (Osaka, Japan, 2000) p. 397
  • Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
  • И.А. Карпович, А.П. Горшков, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
  • I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  • Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев. Поверхность, N 7, 71 (2000)
  • G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Markos. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  • И.А. Карпович, М.В. Степихова. ФТП, 32, 182 (1998)
  • Н.А. Торхов. ФТП, 35, 823 (2001)
  • Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Мокеева, Е.А. Ускова, С.В. Тихов, M.I. Vasilevsky. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, ИФМ РАН, 2003) т. 2, с. 351
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.