"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле
Бояркина Н.И.1, Смагулова С.А.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Якутский государственный университет, Якутск, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Рассмотрена роль кислорода в механизме диссоциации комплекса диуглерода в n-Si на составляющие его компоненты. Предположено, что высвободившиеся межузельные атомы углерода Ci, мигрируя по кристаллу, вступают в реакции с углеродом в узлах решетки кремния Cs и межузельным кислородом Oi с образованием комплексов CiCs и CiOi соответственно. Решения системы уравнений, описывающей образование межузельных атомов углерода в процессе отжига диуглерода, показали, что эффективная константа скорости реакции отжига комплекса CiCs (G-центра) зависит от концентрации кислорода. Эта зависимость трактуется как зависимость энергии активации процесса отжига комплекса CiCs и, следовательно, энергии его диссоциации от концентрации кислорода. Получено более точное значение энергии диссоциации G-центра, равное 1.08±0.03 эВ.
  • L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K 147 (1986)
  • G. Davies, T.K. Kwok, T. Reade. Phys. Rev. B, 44, 12 146 (1991)
  • Н.И. Бояркина, С.А. Смагулова, А.А. Артемьев. ФТП, 36, 907 (2002)
  • И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
  • T.K. Kwok. Phys. Rev. B, 51, 17 188 (1995)
  • В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 911 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.