"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния с различной морфологией
Зимин С.П.1, Брагин А.Н.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Исследовано влияние упругой деформации изгиба на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор и с различными свойствами обедненных областей вокруг пор. Пористые слои были сформированы методом анодного электрохимического травления на кремниевых пластинах p- и n-типа проводимости и обладали пористостью 5-68%. Показано, что характер наблюдаемых изменений электропроводности пористого кремния при деформации зависит от структурных особенностей пористого материала. Для объяснения полученных результатов использованы различные физические модели переноса носителей заряда в пористом кремнии.
  • С.П. Зимин. ФТП, 34, 359 (2000)
  • С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33, 476 (1999)
  • S.P. Zimin, D.S. Zimin, Yu.V. Ryabkin, A.N. Bragin. Phys. St. Sol. (a), 182, 221 (2000)
  • С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Пиьсма ЖТФ, 24 (6), 45 (1998)
  • С.П. Зимин, А.Н. Брагин, Ю.В. Рябкин. Тез. докл. Всеросс. науч. конф. Физика полупроводников и полуметаллов" (СПб., Россия, 2002) с. 59
  • K. Imai, H. Unno. IEEE Trans. Electron Dev., 31, 297 (1984)
  • С.А. Антипов, И.А. Батаронов, А.И. Дрожжин, А.М. Рощупкин. ФТП, 27, 937 (1993)
  • G. Dolino, D. Bellet. In: Properties of porous silicon, ed. by L. Canham (Malvern, UK, DERA, 1997) p. 118
  • Л.С. Ильинская, А.Н. Подмарьков. Полупроводниковые тензодатчики (М., Энергия, 1966) с. 119
  • Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  • H. Gleskova, S. Wagner, Z. Suo. J. Non-Cryst. Sol., 206--269, 1320 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.