"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм
Одноблюдов В.А.1, Егоров А.Ю.1, Кулагина М.М.1, Малеев Н.А.1, Шерняков Ю.М.1, Никитина Е.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27--1.3 мкм), низкопороговая (<400 А/см2), высокоэффективная (>50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.
  • V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  • A.Yu. Egorov, D. Bernklaua, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffman, Gh. Dumitras, M.C. Amann, H. Riecher. J. Cryst. Growth, 227-228, 545 (2001)
  • Н.А. Малеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 35 (7), 881 (2001). [Semiconductors, 35 (7), 847 (2001)]
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.