Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия 
Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Исследовались образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. На основе анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tann высказано предположение, что многокомпонентные комплексы V3+O или V2+O2 не являются рекомбинационными центрами. Глубокие доноры с энергетическими уровнями Delta Ei=Ev+0.40 эВ, комплексы типа V3+O3 или V3+O2 влияют на величины muH и tau. По кривым изохронного отжига определены энергии активации отжига Eann для таких дефектов, как K-центры, межузельный углерод Ci, комплексы V+B, V2+O2, дивакансии V2, а также для дефектов с уровнями Delta Ei=Ev+0.20 эВ, которые равняются Eann=0.9, 0.25, 1.6, 2, 1.54 и 2.33 эВ соответственно.
- В.С. Вавилов, С.И. Винтовкин, А.С. Лютович и др. ФТТ, 7, 502 (1965)
- В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Атомиздат, 1963).
- В.В. Болотов, В.А. Коротченко, А.П. Мамонтов и др. ФТП, 14, 2257 (1980)
- З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, С.Н. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, 1714 (1984)
- В.С. Гарнык, З.В. Башелейшвили. ФТП, 24, 1485 (1990)
- G. Tsintsadze, Z. Bashaleishvili, T. Pagava et al. Bull. Georgian Acad. Sci., 162 (1), 63 (2000)
- В.Н. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
- Н.В. Колесников, С.Е. Мальханов, М.А. Погарский. ФТП, 12, 1836 (1978)
- В.В. Лукьяница. ФТП, 33, 921 (1999)
- М.Ю. Барабаненков и др. ФТП, 33, 897 (1999)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках ( Экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brover. Phys. St. Sol. (a), 41, 637 (1977)
- Л.С. Берман, Н.А. Витковский, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 24, 2186 (1990)
- P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suly, J.D. Gerson, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 15, 3836 (1977)
- C.A. Londos. Jap. J. Appl. Phys., 27, 2089 (1988)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976)
- А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
