"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах
Зерова В.Л.1, Воробьев Л.Е.1, Зегря Г.Г.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Предложен метод расчета вероятности межподзонного электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах сложной формы. Численные значения получены для ступенчатых квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Установлены основные механизмы электрон-электронного рассеяния, наиболее сильно влияющие на межподзонную инверсию населенности в лазерной структуре.
  • W.T. Tsang. In: Semiconductors and Semimetals, Light-wave Communications Technology, ed. by W.T. Tsang (Academic Press, 1985) v. 22
  • P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 58, 4771 (1998)
  • E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  • A. Kastalsky, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.L. Zerova, E. Towe. IEEE. J. Quant. Electron., 37, 1356 (2001)
  • Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
  • Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  • V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum heterostructures (Cambridge, University Press, 1999) p. 242
  • S.-C. Lee, I. Calbraith. Phys. Rev. B, 55, R16025 (1997)
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
  • C.H. Yang, J.M. Carlson-Swindle, S.A. Lyon, J.M. Worlock. Phys. Rev. Lett., 55, 2359 (1985)
  • Б.Л. Гельмонт, Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 14 (2), 533 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.