"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa1-xAs на подложке GaAs
Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Блохин С.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Захаров Н.Д.2, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.3, Werner P.2, Guffart F.3, Bimberg D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Max-Plank Institut fur Mikrostructurphysik, Halle, Deutschland
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 15 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследованы структурные и оптические свойства квантовых точек InAs, осажденных на поверхности толстого метаморфного слоя InGaAs, выращенного на подложке GaAs. Показано, что плотность квантовых точек и их латеральный размер увеличиваются по сравнению со случаем роста непосредственно на подложке GaAs. Увеличение концентрации индия в слое InGaAs приводит к сдвигу линии фотолюминесценции в сторону больших длин волн и при концентрации индия в метаморфном слое 30 ат% длина волны максимума линии фотолюминесценции составляет 1.55 мкм. Исследования электронного спектра квантовых точек методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции позволяют сделать вывод об уменьшении разности энергий между подуровнями носителей заряда в квантовых точках при увеличении концентрации индия в матрице InGaAs.
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley and Sons, 1999)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures (Springer, Berlin, 2003)
  • В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. ФТП, в печати.
  • А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37 (9), 1143 (2003)
  • А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Ю. Егоров, В.А. Одноблюдов, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (12), 1461 (2003)
  • N.N. Ledentsov, F.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39, 1126 (2003)
  • N.N. Ledentsov. USA. Patent N 6653166 "Semiconductor device and method of making same"
  • L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 (2001)
  • F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64 (15), 85 305 (2001)
  • Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, R.Heitz, V.A. Shchukin, W. Neumann, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000)
  • O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59 (8), 5688 (1999)
  • N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev and Zh.I. Alferov. Proc. 22nd Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Vancouver, Canada, 1994), ed by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995) v. 3, p. 1855
  • R. Heitz, O. Stier, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (16), 11 017 (2000)
  • N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Proc. 7th Int. Conf. Modulated Semicond. Struct. (Madrid, July, 1995). [Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)]
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.