Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS
Бачериков Ю.Ю.1, Ворона И.П.1, Оптасюк С.В.1, Родионов В.Е.1, Стадник А.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры электронного парамагнитного резонанса порошков ZnS, отожженных в присутствии металлического Ga с ограниченным доступом атмосферы к отжигаемым порошкам. На основании анализа спектров фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показано, что в отожженных порошках ZnS в виде примеси Ga отсутствует. Установлено, что последующий свободный доступ атмосферы к отожженному ZnS с Ga способствует активному встраиванию Ga в решетку ZnS. Предложен механизм диффузии Ga в ZnS.
- J.S. Prener, D.J. Weil. J. Electrochem. Soc., 103, 342 (1956)
- M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II-VI compounds (N.Y., GERes. Develop. Center Schenectady, 1967)
- J.E. Nicholls, J.J. Davis, B.C. Cavenott. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12, 378 (1979)
- J.S. Prener, F.E. Williams. J. Chem. Phys., 25, 361 (1956)
- K. Urabe, S. Shionoya. J. Phys. Soc. Japan, 24, 543 (1968)
- А.Н. Георгобиани. Тр. ФИАН СССР, 59, 38 (1972)
- R. Grasser, A. Scharmann, W. Schwedes. Z. Phys., 20 (2), 235 (1975)
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
- В.Ф. Харламов, Л.Ю. Фроленкова, Т.С. Рогожина. ЖТФ, 71 (10), 90 (2001)
- Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 43, 940 (1985)
- М.А. Ильина, В.Б. Гутан, А.М. Гурвич. ЖПС, 14, 838 (1971)
- М. Робертс, Ч. Макки. Химия поверхности раздела металл--газ (М., Мир, 1981)
- Ю.Г. Птушинский, В.А. Чуйков. Поверхность, 9, 5 (1992)
- Э. Зингуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990)
- Ж. Жермен. Гетерогенный катализ (М., Мир, 1961)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- А.П. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.Н. Михаленко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17 (8), 1329 (1981)
- Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)
- Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)
- Б.А. Нестеренко, О.В. Снитко. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка. 1983)
- Н.К. Морозова, М.М. Веселкова. ЖПС, 29, 366 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук